技术编号：2730231
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。本申请基于2009年7月7日在日本申请的特愿2009-160857号，主张优先权，在这里援用其内容。背景技术在半导体元件、液晶元件等的制造工序中，近年来，由光刻形成图案的微细化正在急速发展。微细化的方法有照射光的短波长化。最近引入了 KrF准分子激光器(波长248nm)光刻技术，谋求更短波长化的ArF准分子激光器(波长193nm)光刻技术以及EUV准分子激光器(波长13nm)光刻技术正在被研究着。此外，例如作为能够适宜地应对照射光的短波长化以及...
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