技术编号：2731095
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术掩模图案的制造技术极大程度地影响在半导体基板上形成的图案。尤其，在未能适当考虑掩模图案的光学邻近效应的情况下，该图案 的线宽在光刻工艺中被扭曲，使得关键维度的线性縮短。此外，由于半导体器件被縮小，在光刻工艺中，图案被相邻图案的 光学邻近效应破坏。因此，采用了使光扭曲现象降至最低的各种方法，例如光邻近校正(OPC)以及相位变换掩模技术。OPC技术使用图案来补偿光线衍射的问题，而相位变换掩模技术提高光学对比度来提高分辨率。虽然采用了各种方...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。