技术编号：2732156
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体的制造技术,特别是涉及一种对于光罩或晶圆上的图案的近接式控制(Proximity Control)关4建尺寸(Critical Dimension, CD) 的改良方法与系统。背景技术在半导体制程技术中，光罩或晶圆的关键尺寸越来越小，例如，其线 宽尺寸由45纳米变小为32納米。因此，维持各式各样图案(Pattem)的关键 尺寸均匀一致，即关键尺寸均匀性于可接受的等级显得非常的重要。某些 类型的图案需求不同等级的关键尺寸均匀性。例如，以4...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。