专利名称：：光罩或晶圆图案的近接式控制关键尺寸的改善方法与系统的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种半导体的制造技术,特别是涉及一种对于光罩或晶圆上的图案的近接式控制(ProximityControl)关4建尺寸(CriticalDimension,CD)的改良方法与系统。
背景技术：
：在半导体制程技术中，光罩或晶圆的关键尺寸越来越小，例如，其线宽尺寸由45纳米变小为32納米。因此，维持各式各样图案(Pattem)的关键尺寸均匀一致，即关键尺寸均匀性于可接受的等级显得非常的重要。某些类型的图案需求不同等级的关键尺寸均匀性。例如，以45纳米制程而言，使用在微处理电路的独立线(isolatedline)需要1.3纳米(nm)的线宽的3个标准差(sigma)之间；以及使用在记忆体阵列的密集线(denseline)需要3.4纳米的线宽的3个标准差(sigma)之间。这使得独立/密集(独立-密集)图案的近接过程变的更难以控制。虽然独立-密集图案的关键尺寸均匀性可以由光阻的曝光剂量加以补偿，但是，更需要一种能预测光罩或晶圆上的独立-密集图案的关键尺寸的方法与系统，以改善在光罩或晶圆上的关键尺寸均匀性。
发明内容本发明的主要目的在于，克服现有的光罩或晶圆的关键尺寸存在的缺陷，而提供一种新型的光罩或晶圆上图案的近接式制程控制关4定尺寸的改善方法与系统，所要解决的技术问题是使其改善在光罩或晶圆上的关键尺寸均匀性，从而更加适于实用。本发明的目的在于，提供一种提升基材的关键尺寸均匀性的方法。该方法包含根据一第一基材上图案的一近接式制程趋势而决定一方程式。应用该方程式在一回归式模型以决定一第二基材的一参数值。根据用于该第二基材的曝光制程的该参数值，修正一曝光设备的一制程参数。本发明的另一目的在于，提供一种关于控制基材上图案化的关键尺寸的方法，该方法包含提供一模型以分析一基材的曝光制程数据。根据于该曝光制程数据决定一方程式。使用该方程式自动地修正一曝光工具的一制程参数。本发明的又一目的在于，提供一种基材上一图案的关键尺寸的控制系统，该系统包含一先进制程控制(APC)系统，该先进制程控制(APC)系统用以收集该基底的曝光制程数据，且该先进制程控制(APC)系统包含一回归式模型用以分析该曝光数据以及决定该曝光工具的制程参数的参数值。该回归式模型根据该基材的一近接式制程趋势实际决定一方程式。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种关键尺寸均勾度的提升方法，包含根据一第一基材上一图案的一近接式制程趋势决定一方程式；应用该方程式于一回归式模型中，以决定一第二基材的一参数值；以及根据由于该第二基材的曝光制程的该参数值，调整一曝光设备的一制程参数。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中根据一第一基材上一图案的一近接式制程趋势决定一方程式的步骤包含确认该第一基材的一斜率；确认该第一基材的一参数值，以及根据该第一基材的斜率和参数值之间的关系，决定该方程式。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中应用该方程式于一回归式模型中，以决定一第二基材的一参数值的步骤包含根据该第一基的斜率和参数值，决定该方程式的一常数；设定该方程式的一斜率为零；以及解出该方程式决定该第二基材的参数值。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中根据由于该第二基材的曝光制程的该参数值，调整一曝光设备的一制程参数的步骤包含根据使用该参数值修正该曝光设备中的一曝光工作档案。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中根据由于该第二基材的曝光制程的该参数值，调整一曝光设备的一制程参数的步骤包含修正一用于该第二基材的曝光制程的光阻的曝光剂量。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中确认该第一基材的一斜率的步骤包含确认多个该第一基材的关键尺寸偏移量；确认多个该第一基材的间距尺寸；以及根据这些关键尺寸偏移量以及这些间距尺寸之间的一关系，决定该第一基材的一近接式制程趋势。前述的关键尺寸均勻度的提升方法，其中根据该第一基材的斜率和参数值，决定该方程式的一常数的步骤，包含替代该第一基材的斜率和参数值入该方程式中。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中方程式为Y二近接式制程斜率*X+C，其中，Y为该方程式的斜率，其中，近接式制程斜率为该第一基材的斜率，其中，X为该第一基材的参数值，且其中，C根据制程条件的一常数。前述的关键尺寸均匀度的提升方法，其中方程式是Y=an*XAn+an-l*XA(n-l)+........+al*X+aO,其中，Y代表一个对应到多个基材的参数值的近接式制程斜率，Xn，X&，...，X代表多个基材的多参数值，且an,a(n-l)，..，al,anda0是常数。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种基材上图案的关键尺寸的控制方法，该控制方法包含提供一模型，用以分析该基材的曝光数据；根据该曝光数据，决定一对于该模型的方程式；以及使用该方程式自动修正曝光工具的制程参数。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的基材上图案的关键尺寸的控制方法，其中提供一模型，用以分析该基材的曝光数据的步骤包含确认该基材的一近接式制程趋势，其中，该近接式制程趋势是根据在该基材上图案的关键尺寸偏移量以及该基底的一间距尺寸。前述的基材上图案的关键尺寸的控制方法，其中根据该曝光数据，决定一对于该模型的方程式的步骤包含根据近接式制程趋势的一斜率以及该基材的一参数值决定该方程式，其中，该参数值是由一先进制程控制系统(APC)所监控。前述的基材上图案的关键尺寸的控制方法，其中使用该方程式自动修正一曝光工具的一制程参数的步骤，包含根据该方程式，确定一新的参数值；以及根据该新的参数值，对于一新基材的曝光制程中，{奮正该曝光工具的制程参数。本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种基材上图案的关键尺寸的控制系统，包含一先进制程控制系统，用于收集该基材的曝光数据。一在该先进制程控制系统中的回归式模型，用于分析曝光数据以及决定该曝光工具的制程参数内的参数值。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的基材上图案的关键尺寸的控制系统，其中所述的方程式是Y=an*XAn+an-l*XA(n-l)+........+al*X+aO，其中，Y代表一近接式制程斜率，该斜率对应到多个基材的参数值，其中，Xn,X(I>1),...，X代表多个基材的参数值，以及其中an，a(n-l)，...,al，anda0为常数。借由上述技术方案，本发明光罩或晶圓上图案的近接式制程控制关键尺寸的改善方法与系统至少具有以下优点本发明通过该第一基材上图案，决定一近接式制程趋势的方程式，该近接式制程趋势方程式应用在一回归式模型藉以决定一第二基材的参数值。因此，一曝光设备的操作参数可基于该第二基材曝光的参数值加以修正。此外，本发明提供一个基材上图案的关键尺寸的控制系统，该系统包含收集基材的曝光制程数据的一先进制程控制(APC)系统，而且使用在该先进制程控制(APC)系统内的该回归式模型以分析曝光制程数据，且决定一曝光工具的操作参数的一参数值。该回归式模型可根据基材上的近接式制程趋势实际决定一方程式。根据上述所述的方法与系统能预测下一个回圏的独立-密集图案的关键尺寸，进而改善在光罩以及晶圓上关键尺寸的均勻性。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细i兌明如下。为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细i兌明如下图1为说明一光罩或晶圓上的一例示图案以及相对应的近接式制程数据的示意图。图2为一曲线说明在图1中一独立-密集图案的一关键尺寸近接式趋势的曲线图。图3a和图3b为说明根据光阻的曝光剂量控制一光罩上的独立-密集图案的近接式制程趋势的比较的曲线图。图4为一用以提升一光罩或晶圆的该关键尺寸近接式制程的例式制程的流程图。图5为一用以决定一回归式模型方程式用于不同的写入设备或光阻形式的例式制程的流程图。图6为一说明每个光罩或晶圆的该斜率和一参数值之间的关系的曲线图。图7为一用以应用该回归式近接式制程方程式于该先进制程控制(APC)系统中的例式制程的流程图。图8为该先进制程控制(APC)系统的一例示制程的流程图。图9为一用以提升一光罩或晶圆上图案的关键尺寸近接式制程的系统的示意图。100图案200曲线图204关键尺寸偏移量302近接式制程趋势304斜率310曲线图316近接式制程范围402步骤602步骤606步骤704参数值802步骤806步骤902步骤906:步骤1002:传输网络装置1006:曝光设备1010:资料库102:独立-密集图案106:间距尺寸202:间距尺寸300:曲线图306近接式制程范围312:近接式制程趋势值314斜率400:制程404步骤604:步骤700曲线图706:斜率804步骤蜜先进制程控制系统卯4步骤908:步骤1000:系统1004:先进制程控制装置1008:半导体厂具体实施例方式以下的发明揭露，提供很多实现本发明特征的不同实施例或范例。特定实施例的元件组合或排列配置叙述如下。当然，实施例仅用于说明，并无任何限制本发明的意图。另外，目前的揭露会重复参照数字搭配/或者文字在不同的范例中，此重复是用于简单、清楚以及非在本身揭露的一关系，该关系介于多个实施例以及/或被揭露的型态之间。并且，在说明书中，一第一特征遍及或形成于一第二特征之上，随着可能包含多个实施例，在这些实施例中的第一以及第二特征在直接的关联中所形成，以及也可能包含额外的特征形成于这些实施例中，该额外的特征插入在该第一和第二特征之间，以致于该第一和第二特征无法直接关联。参照图1显示出一个在光罩或晶圓上的例示图案100以及对应到近接式制程数据，在本实施例中，图案100可视为使用在65nm光罩上的一个"指示性的"图案。图案100包含多个独立-密集图案102,这些独立-密集图案中具有不同大小的关键尺寸。在表1中绘示在一晶圆上独立-密集图案102的间距尺寸。表1也包含相对应到间距尺寸的关键尺寸偏移量。如表1所绘示，该独立-密集图案的关键尺寸的近接范围大约为0.34nm。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>参照图2，曲线200绘示出在图1中独立-密集图案的关键尺寸近接式制程趋势，曲线200绘示出在晶圓上的独立-密集图案102的间距尺寸202(X轴)以及相对应的关键尺寸偏移量204(Y轴)。具有较小的间距尺寸的图案为密集线图案，具有较大的间距尺寸的图案为独立线图案。由曲线200可以观察，独立-密集图案102的关键尺寸近接量相对趋近于零。因此，在此范例中，可利用光阻的曝光剂量控制在晶圆上的独立-密集图案102的近接量。参照图3a以及图3b，图3a以及图3b绘示了根据使用光阻的曝光剂量控制，在光罩上不同独立-密集图案间的近接式制程趋势的比较。曲线图300绘示出在使用光阻的曝光剂量控制下，光罩上的独立-密集图案的近接式制程趋势302。在曝光剂量控制中，较高的曝光剂量可以应用于补偿独立线图案的关键尺寸偏移量。在此例子中，近接式制程趋势302的斜率304约为0.0097,同时近接范围306大约为0.34nm。对照到图3b趋势图310，该趋势图310绘示出当没有曝光剂量控制时，光罩上的独立-密集图案的近接式制程趋势312。在此例子中，近接式趋势312的斜率314约为-0.2757，同时近接范围316约为6.1nm。当没有曝光剂量控制时，近接范围较高，如此会影响到光罩或晶圆的整体的关键尺寸均匀性。依据本揭露提供一种关于光罩或晶圓的关键尺寸均匀性的改善方法和系统。其是通过4是供在一先进制程控制(APC)系统中的回归近接式制程趋势模型。先进制程控制(APC)系统是使用预测数据来调整修正一个或多个输入参数以便控制制程设备。通过制程参数(recipe)决定(例如制程因素的结合，如持续时间、温度、压力和流体形式与混合物)。藉此，可于下一次制程回圈改善监控中的光罩或晶圆品质。参照图4，其绘示一例示的制程400的流程图。该制程400描述改善光罩或晶圆上的关4建尺寸近接式制程(CDProximity)。制程400开始于步骤402以决定一对于不同的曝光设备(writer)和/或光阻型式的回归模型方程式。更多关于步骤402的细节会于参照图5时说明。制程400接着进行步骤404以应用在步骤402中所决定的回归式模型方程式来决定一新的参数值。该参数值可为在曝光设备进行近接修正(ProximityCorrection)所使用的任何参数。例如eta，更多细节关于流程404会于参照图7时说明。eta是曝光设备由先进制程控制系统所监控的制程参数中的其中一参数。美国专利第6，432，588号中也讨论到eta。eta可以被使用于控制在图案中独立-密集线的比例。对于一电子束写入设备而言，方程式(l)描述eta以被曝光图案密度的强度型式的项表示D100=D50*(l+eta)/(l+2*eta)(1)D100代表被曝光图案密度在100%，D50代表被曝光图案密度在50%。在方程式(l)中可修正eta值，以达到不同的被曝光图案密度。在本实施例中，是使用写入设备所使用近接修正参数的eta作为说明范例，在不违背目前所揭露的精神以及范畴的情形下，回归式模型也可决定其他近接参数。参照图5，为一例示制程的一流程图，该流程图描述在对于不同写入设备或光阻模式下，决定回归式模型方程式的流程。制程402开始于步骤602，步骤602确认由曝光设备所处理过的每个光罩或晶圓的斜率。该斜率的范例包含斜率304以及斜率314。斜率304为在光罩上使用光阻的剂量控制的独立-密集图案的近接式制程趋势302;而斜率314为在光罩上未使用光阻的剂量控制的独立-密集图案的近接式制程趋势304。接着，流程402继续步骤604,以确认一参数，该参数是适用于曝光设备所处理过的每个光罩或晶圓，并于光罩或晶圓制程进行，通过先进制程控制(APC)系统所监控的参数。eta就是一被监控的参数的例子。接着，流程402持续到步骤606，步骤606决定一回归式模型方程式，该方程式是根据步骤602的斜率以及步骤604的参数值间的关系，更多如何执行步骤606的细节，在参照图6中讨论。参照图6，图6描述每个光罩与晶圆的斜率与参数值之间的关系。曲线图700绘示每个经制程处理过的光罩或晶圓，其近接式趋势的斜率702，以及被监控的相对应参数值704。用于此例子中使用的参数值为eta。方程式706的值8.99代表每个经制程处理的光罩或晶圆的近接式趋势的斜率，根据斜率和参数值的关系，回归式模型方程式(2),推导如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>(2)在此例子中，Y代表斜率，X代表参数值，C为视制程状态而定的一常数。Y根据使用光阻的形式或写入设备的形式，如此以来，可对于不同的写入设备或光阻形式而导出不同的Y值。在决定回归式模型方程式(2)之后，可于先进制程控制系统中应用该方程式，对于在下一个回圈中的一新光罩去决定新参数值。参照图7，图7为一例示制程的流程图，该流程图揭露对于在先进制程控制系统中应用回归近接式方程式。流程404开始于步骤802，该步骤802根据光罩的斜率以及参数值决定该常数C。例如，假设光罩的斜率为-0.51,以及参数值为0.7,常数C则可经由替换斜率为Y以及参数值为X带入该回归式模型方程式中Y=8.99*X+C中加以决定。根据此方程式，C等于-6.8。随着常数C的值，该回归式^^莫型方程式可表为<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>。为了达到一接近于0的关^t尺寸偏移量，流程404继续从步骤804去设定斜率Y等于O。如此以来，回归式模型方程式(2)变为Y-O-S^^X-GA流程404持续从步骤806去求解关于新参数值X，新参数值X用于在下一个回圈内的新光罩中。接续前述的例子，新参数值X是0.75。通过使用新参数值，先进制程控制(APC)系统可对于曝光设备的曝光工作档案的下一个回圈内的新光罩的曝光进行^['务正。在一个实施例中，先进制程控制(APC)系统中可独立于曝光设备或写入设备，并实施流程404。参照图8，其揭露先进制程控制系统的一例示流程的流程图。在步骤902中，先进制程控制系统900监控每个被处理的光罩的参凝:值902。在步骤904中，先进制程控制系统卯(H'务正曝光i殳备或写入设备的曝光工作档案。曝光工作档案包括所有对于修正曝光设备的制程参数的参数值，例如eta。当修正曝光工作档案后，在曝光设备或写入设备内会执行曝光制程。在步骤906中，先进制程控制系统900执行近接式趋势模型分析。先进制程控制系统900可以通过手动方式或是自动方式执行步骤906。在步骤卯8中，对于在下一个回圈中新光罩的曝光制程而言，先进制程控制系统决定新的参数值以及回到步骤904中进行修正在曝光工作档案中的参数值。通过执行一回归近接式趋势分析以决定新的参数值，以及使用该新的参数值去重复修正曝光工作档案，该独立-密集图案的关键尺寸近接式制程范围则可被减少趋近于O。因此，光罩的关键尺寸均匀度将会被改善。在图9中说明对于推导该回归式模型方程式的一模型的范例，对于全部经制程处理的光罩或晶圓，函数(3)表达介于该近接式斜率以及写入设备曝光制程参数值的关系。y=an*XAn+an-l*XA(n-l)+........+al*X+a0(3)在此例子中，y表示近接式斜率对应到全部被监控的参数值，Xn,X(n"),...，X表示全部被监控的该eta值，an,a(n-l)，...，al,以及a0均为常数。函数(3)为一个对于经由写入设备所处理的全部光罩或晶圆的回归式模型方程式。对于应用回归式模型方程式去决定新的eta值的一范例的模型可显示在如下函数(4)中y=0=an*XAn+an-l*XA(n-1)+........+al*X+aO(4)首先，替代光罩中的y和X进入函数(3)，藉以决定常数an,a(n-l),...，al,和aO。接着，将y设定为等于0以形成函数(4)。使用函数(4)，可以决定对于在未来回圈中的新光罩的新的eta值XX^",..,，X。使用新的eta值，对于在未来回圏中的新光罩的曝光制程，先进制程控制(APC)系统可修正曝光设备中的该曝光工作档案。在此，除了对于光罩提升关键尺寸的近接式控制之外，当直接写入图案到一晶圆上时，根据本发明揭露也可实施为提升关键尺寸近接式制程方法以及系统。例如，可以在转换一高解析度图案到一晶圆上的电子束写入系统中实施回归近接式制程趋势模型。在此方法中，同样可提升晶圆中的关键尺寸均匀性。参照图9，绘示一对于提升在一光罩或晶圆上图案的关键尺寸近接式制程的系统。该系统1000包含多个实体，这些实体靠一传输网络1002所连接。该传输网络1002可为一单独的或一不同种类的网络，例如，一企业内部的网络以及网际网络，以及更可包含有线或无线的流通频道。每个实体能和其他实体互动，并能从其他实体提供服务(和/或)接受服务。在目前的例子中，该实体包含一先进制程控制系统1004、一在半导体厂1008中的一曝光设备1006以及一资料库1010。在曝光后，先进制程控制(APC)系统1004可从曝光设备1006收集数据，且可储存在资料库1010之中。依照本发明揭露，可在先进制程控制系统1004内实施分析从曝光设备1006或是资料库1010取得的数据。根据该数据，可决定一基于写入设备形式或使用光阻形式的回归式模型方程式，且该回归式模型方程式可以应用在先进制程控制(APC)系统1004中，对于在下一个回圈的一新光罩去决定一新的eta值。在此，依照本发明的揭露，可由在先进制程控制系统1004之内一应用软体执行或者是在任何其他的数据处理系统内执行。根据该新的eta值，可持续地改善修正回归式模型。通过提供一改善修正过的回归式模型，光罩或晶圓上的独立-密集图案的近接式制程范围会变的越来越小直到趋近于零。例如，当应用于先进制程控制(APC)系统1004时，多个独立-密集图案的近接式制程范围可被改善至70%之多。在一个实施例中，提供对于提升一基材的关键尺寸均匀性的方法。根据一第一基材上图案的近接式制程趋势而决定方程式。该方程式被应用在一回归式模型以决定一第二基材的参数值。根据用于该第二基材的曝光制程的该参数值修正曝光设备的制程参数。在另一个实施例中，提供一个关于控制基材上图案的关键尺寸的方法，提供一模型以分析一基材的曝光制程数据。根据于该曝光制程数据，以决定对于该模型的方程式。使用该方程式自动的修正曝光工具的制程参数。在又另一个的实施例中，提供对于一基材上一图案的关键尺寸的控制系统，该系统包含一先进制程控制(APC)系统以及一先进制程控制(APC)系统内的回归式模型，先进制程控制(APC)系统用以收集该基材的曝光制程数据，回归式模型用以分析该曝光制程数据以及决定该曝光工具的制程参数的参数值。该回归式模型根据该基板的一近接式制程趋势实际决定一方程式。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。权利要求1、一种关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于包含根据一第一基材上一图案的一近接式制程趋势决定一方程式；应用该方程式于一回归式模型中，以决定一第二基材的一参数值；以及根据由于该第二基材的曝光制程的该参数值，调整一曝光设备的一制程参数。2、根据权利要求1所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于根据一第一基材上一图案的一近接式制程趋势决定一方程式的步骤包含确认该第一基材的一斜率；确认该第一基材的一参数值，以及根据该第一基材的斜率和参数值之间的关系，决定该方程式。3、根据权利要求2所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于应用该方程式于一回归式模型中，以决定一第二基材的一参数值的步骤包含根据该第一基的斜率和参数值，决定该方程式的一常数；设定该方程式的一斜率为零；以及解出该方程式决定该第二基材的参数值。4、根据权利要求1所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于根据由于该第二基材的曝光制程的该参数值，调整一曝光设备的一制程参数的步骤包含根据使用该参数值修正该曝光设备中的一曝光工作档案。5、根据权利要求1所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于根据由于该第二基材的曝光制程的该参数值，调整一曝光设备的一制程参数的步骤包含修正一用于该第二基材的曝光制程的光阻的曝光剂量。6、根据权利要求2所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于确认该第一基材的一斜率的步骤包含确认多个该第一基材的关键尺寸偏移量；确认多个该第一基材的间距尺寸；以及根据这些关键尺寸偏移量以及这些间距尺寸之间的一关系，决定该第一基材的一近接式制程趋势。7、根据权利要求3所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于根据该第一基材的斜率和参数值，决定该方程式的一常数的步骤，包含替代该第一基材的斜率和参数值入该方程式中。8、根据权利要求2所述的关键尺寸均勻度的提升方法，其特征在于所述的方程式为Y:近接式制程斜率fX+C，其中，Y为该方程式的斜率，其中，近接式制程斜率为该第一基材的斜率，其中，X为该第一基材的参数值，且其中，C根据制程条件的一常数。9、根据权利要求2所述的关键尺寸均匀度的提升方法，其特征在于所述的方程式是Y=an*XAn+an-l*XA(n-l)+…..…+al*X+aO,其中，Y代表一个对应到多个基材的参数值的近接式制程斜率，Xn，X(n—0，...，X代表多个基材的多参数值，且an，a(n-l),...，al,anda0是常数。10、一种基材上图案的关键尺寸的控制方法，该控制方法包含提供一模型，用以分析该基材的曝光数据；根据该曝光数据，决定一对于该模型的方程式；以及使用该方程式自动修正曝光工具的制程参数。11、根据权利要求IO所述的基材上图案的关键尺寸的控制方法，其特征在于提供一模型，用以分析该基材的曝光数据的步骤包含确认该基材的一近接式制程趋势，其中，该近接式制程趋势是根据在该基材上图案的关键尺寸偏移量以及该基底的一间距尺寸。12、根据权利要求11所述的基材上图案的关键尺寸的控制方法，其特征在于根据该曝光数据，决定一对于该模型的方程式的步骤包含根据近接式制程趋势的一斜率以及该基材的一参数值决定该方程式，其中，该参数值是由一先进制程控制系统(APC)所监控。13、根据权利要求11所述的基材上图案的关键尺寸的控制方法，其特征在于使用该方程式自动修正一曝光工具的一制程参数的步骤，包含根据该方程式，确定一新的参数值；以及根据该新的参数值，对于一新基材的曝光制程中，修正该曝光工具的制程参数。14、一种基材上图案的关键尺寸的控制系统，其特征在于包含一先进制程控制系统，用于收集该基材的曝光数据。一在该先进制程控制系统中的回归式模型，用于分析曝光数据以及决定该曝光工具的制程参数内的参数值。15、根据权利要求14所述的基材上图案的关键尺寸的控制系统，其特征在于所述的方程式是Y=an*XAn+an-l*XA(n-l)+…..…+al*X+aO,其中，Y代表一近接式制程斜率，该斜率对应到多个基材的参数值，其中，Xn,X(n"),..,,X代表多个基材的参数值，以及其中an，a(n-l)，...，al,anda0为常数。全文摘要本发明是关于一种光罩或晶圆上图案的近接式制程控制关键尺寸的改善方法，用以改善一基底的关键尺寸均匀性，并包含根据一第一基材上一图案的一近接式制程趋势决定一方程式。应用该方程式于一回归式模型以决定一第二基材的参数值。根据该第二基材的曝光制程的参数修正一曝光设备的一制程参数。同样地，该系统用以控制一基材上图案的关键尺寸，并包含一先进制程控制系统以及一在该先进制程控制系统内的回归式模型，该先进制程控制系统用以收集该基底的曝光数据，回归式模型用以分析该曝光数据以及决定该曝光工具的一制程参数的一参数值。回归式模型根据该基材上的一近接式制程趋势决定一方程式。文档编号G03F1/14GK101191998SQ20071016518公开日2008年6月4日申请日期2007年11月5日优先权日2006年11月28日发明者林政旻,邱仁玺申请人:台湾积体电路制造股份有限公司