技术编号：2736974
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术大规模集成电路(LSI)和微电子机械系统(MEMS)的器件制作工序通过 反复的薄膜形成和图案形成来进行。这样的图案是经曝光、显影、清洗(漂 洗)而形成的抗蚀图案或经蚀刻、清洗而形成的蚀刻图案。器件制作工序中所用的抗蚀剂是对于光、X射线、电子射线等感光的极 性高分子材料，蚀刻后被除去。抗蚀剂在经显影或蚀刻处理后仍残留于图 案部分，形成抗蚀剂进入到图案的孔部中的状态。此外，在晶片表面形成 低介电常数膜并在其上涂布抗蚀剂的情况下，有时抗蚀剂...
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