技术编号：2738932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及有关一种在阵列(Array)制程中检测非晶矽残留 缺陷(A-Si Residue Defect)之技术，尤其是指一种画素布局结构及其制 造方法。背景技术在液晶显示器(LCD)制程中，系经由前段的阵列(Array)制程、 组立(Cell)制程，以及后段之模组(Module)制程等，才完成整个显示器 之制；其中，在阵列(Array)制程中，至少包括有闸极电极(Gate Electrode, GE)形成、半导体电极(Semiconductor El...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。