技术编号：2742395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化工领域，具体地说，涉及一种抗蚀剂剥离液及其应用。背景技术目前适用于光刻胶剥离的溶剂，例如硫酸和过氧化氢的混合液，二者配比为4-101，使用温度为150°C-200°C。此类溶剂可能会造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解或二氧化硅腐蚀，且对环境条件要求严格，工艺流程复杂，因此，开发一种新的反提取剂，使其适于室温使用，并且在更低的温度下不会造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解或二氧化硅腐蚀，以便能够有效地从半导体等表面上剥离光刻胶高分子材料。发明内容本...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。