专利名称：一种抗蚀剂剥离液及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及化工领域，具体地说，涉及一种抗蚀剂剥离液及其应用。
背景技术：
目前适用于光刻胶剥离的溶剂，例如硫酸和过氧化氢的混合液，二者配比为4-10:1，使用温度为150°C-200°C。此类溶剂可能会造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解或二氧化硅腐蚀，且对环境条件要求严格，工艺流程复杂，因此，开发一种新的反提取剂，使其适于室温使用，并且在更低的温度下不会造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解或二氧化硅腐蚀，以便能够有效地从半导体等表面上剥离光刻胶高分子材料。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型的抗蚀剂剥离液及其应用。为了实现本发明目的，本发明的一种抗蚀剂剥离液，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。优选分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:15，1:10，1:20。所述抗蚀剂剥离液的制备方法为:将重量浓度为98%的浓硫酸与浓度为60%的高氯酸水溶液(或分析纯高氯酸和分析纯硫酸)混合。首先在23°C _25°C的室温下，将重量浓度为98%的浓硫酸投入一个石英槽中，然后缓慢加入浓度为60%的高氯酸水溶液至上述石英槽中，同时盘旋搅拌该混合液3至5分钟。在两种化学试剂混合的过程中，有轻微的放热反应。根据分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比，混合液的温度可能会在250C _70°C的范围内。所述抗蚀剂剥离液的使用方法为:在剥离液25 V -70°C的温度范围内，将干燥的晶片投入盛放有上述剥离液的石英槽中5至20分钟，进行均匀地剥离，随后将晶片取出。再用60°C的I号标准清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去离子水清洗。最后用异丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。与现有技术相比，本发明至少具有下列优点及有益效果:本发明提供的抗蚀剂剥离液，即硫酸和高氯酸混合液，与传统的过氧化氢和硫酸的混合液相比，具有更高的氧化电位，可用作剥离抗蚀剂的替代品，而不必采用高温SPM工艺，且本品可在室温或更低温度下使用，不会对硅片元件表面造成腐蚀、脱落或其它可见的硅体降解。
具体实施例方式以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段，所用原料均为市售商品。以下实施例中使用的高氯酸购自BASF公司，高氯酸水溶液的浓度为60%。实施例1抗蚀剂剥 离液及其应用
待处理的晶片先用60°C的I号标准清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去离子水清洗，烘干。在室温25下，向盛有浓度为98%的硫酸的石英材质的清洗槽中缓慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析纯高氯酸和分析纯硫酸体积比为1:10，搅拌充分混合。然后，将经过处理的晶片浸入到上述清洗槽中。25分钟后，将晶片取出。再用60°C的SCl清洗，然后用70°C的去离子水清洗，最后用异丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。实施例2抗蚀剂剥离液及其应用待处理的晶片先用60°C的I号标准清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去离子水清洗，烘干。
在室温25下，向盛有浓度为98%的硫酸的石英材质的清洗槽中缓慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析纯高氯酸和分析纯硫酸体积比为1:15，搅拌充分混合。然后，将经过处理的晶片浸入到上述清洗槽中。15分钟后，将晶片取出。再用60°C的SCl清洗，然后用70°C的去离子水清洗，最后用异丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。实施例3抗蚀剂剥离液及其应用待处理的晶片先用60°C的I号标准清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去离子水清洗，烘干。在室温25下，向盛有浓度为98%的硫酸的石英材质的清洗槽中缓慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析纯高氯酸和分析纯硫酸体积比为1:20，搅拌充分混合。然后，将经过处理的晶片浸入到上述清洗槽中。5分钟后，将晶片取出。再用60°C的I号标准清洗液清洗，然后用70°C的去离子水清洗，最后用异丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
权利要求
1.一种抗蚀剂剥离液，其特征在于，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液，其特征在于，分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:15。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液，其特征在于，分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:10。
4.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液，其特征在于，分析纯高氯酸和分析纯硫酸的体积比为1:20。
5.权利要求·1-4任一项所述抗蚀剂剥离液在剥离光刻胶高分子材料中的应用。
全文摘要
本发明提供了一种新型的抗蚀剂剥离液，其为分析纯高氯酸和分析纯硫酸按1:6-20的体积比复配得到的混合液。使用时，将待处理的晶片投入到所述抗蚀剂剥离液中5至20分钟即可。本发明提供的抗蚀剂剥离液，与传统的过氧化氢和硫酸的混合液相比，具有更高的氧化电位，可用作剥离抗蚀剂的替代品，而不必采用高温SPM工艺。
文档编号G03F7/42GK103235491SQ201310117969
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月7日 优先权日2013年4月7日
发明者萨莉·安·亨利, 查理·彼得森, 黄金涛, 马嘉, 吴仪, 苏宇佳 申请人:北京七星华创电子股份有限公司