技术编号：2753345
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及到评估掩模，且特别是用于评估光刻掩模相关误差源的领域。 背景技术微电子器件性能通常受到术语称作临界尺寸或CD的临界特征尺寸中出现的变化 的限制。在光刻工艺中微电子器件通常使用光刻掩模(也称作掩模或刻线)来制造。后者 是半导体器件制造中的一种重要工艺，且包括根据被制造半导体器件的电路设计图案化晶 片表面。这种电路设计首先在掩模上被图案化。由此，为了实现操作半导体器件，掩模必须 没有缺陷。掩模通过复杂工艺被制造且能够容许一个或多个误差源。而且，通...
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