技术编号：2753653
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路，更具体地说，涉及一种制造半导体器件的蚀刻 方法。背景技术半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。为了制造集成电路，使用光刻工艺对 各种材料层进行图样化。光刻工艺包括光刻胶(抗蚀剂)涂覆、曝光和显影。目前，当在具 有材料层(诸如金属或介电膜)的晶片衬底上形成抗蚀剂图样时，可通过湿蚀刻或干蚀刻 来蚀刻材料层。此后可以施加附加的清洗。然而，许多蚀刻工艺(尤其是湿蚀刻工艺)的各向同性的特性会引起图样从抗蚀 剂图样转印到材料层的问题。...
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