专利名称：正形感光层和工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路，更具体地说，涉及一种制造半导体器件的蚀刻 方法。
背景技术：
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。为了制造集成电路，使用光刻工艺对 各种材料层进行图样化。光刻工艺包括光刻胶(抗蚀剂)涂覆、曝光和显影。目前，当在具 有材料层(诸如金属或介电膜)的晶片衬底上形成抗蚀剂图样时，可通过湿蚀刻或干蚀刻 来蚀刻材料层。此后可以施加附加的清洗。然而，许多蚀刻工艺(尤其是湿蚀刻工艺)的各向同性的特性会引起图样从抗蚀 剂图样转印到材料层的问题。这在材料层非常薄的情况下尤其严重。可能由各向同性蚀刻 的横向分量引发底切(例如，去除抗蚀剂图样下方的材料层)。底切可能会在图样化材料层 的过程中产生缺陷，诸如不精确的尺寸控制。底切还会减小抗蚀剂图样和衬底之间粘合的 表面积，这在随后的工艺期间会导致诸如抗蚀剂图样剥落的缺陷。尽管干蚀刻工艺可以减轻蚀刻的各向同性特性，但其会进一步引入诸如损坏抗蚀 剂图样、材料层和/或下层的问题。这些问题在制造包括高k栅极介电层/金属栅极结构 的半导体器件的过程尤其严重。栅极结构可包括薄层，其尺寸在图样化期间必需被严格控 制。因此，需要一种用于在材料层上形成抗蚀剂图样的方法，其中，通过湿式化学处理 而蚀刻材料层没有底切。
发明内容
在一个实施例中，提供了一种制造半导体器件的蚀刻方法。该蚀刻方法包括在 衬底上形成材料层；在材料层的上方形成感光层，其中，感光层包括粘合增进剂，分子量 (M. W.)大约在100和2000之间的粘合增进剂包括至少一种具有烷基配体或硅氧烷的聚合 物；对感光层进行图样化，以形成图样化感光层；以及通过图样化的感光层来蚀刻材料层。在另一个实施例中，提供了一种制造半导体器件的蚀刻方法。该蚀刻方法包括在 衬底上形成材料层；在材料层的上方形成感光层，其中，感光层包括疏水添加剂，疏水添加 剂包括选自由氟化聚合物、氟代烷(fluroalkane)、氟硅(fluorosiloxane)和含氟表面活 化剂组成的组的材料；对感光层进行图样化，以形成图样化的感光层；以及通过图样化的 感光层来蚀刻材料层。在又一实施例中，提供了一种制造半导体器件的蚀刻方法。该蚀刻方法包括在衬底上形成材料层；在材料层的上方形成可溶粘合增进剂层，其中，分子量(M. W.)大约在100 和2000之间的可溶粘合增进剂包括至少一种具有烷基配体或硅氧烷的聚合物；在可溶粘 合增进剂层的上方形成感光层；对感光层进行图样化，以形成图样化的感光层；通过图样 化的感光层来蚀刻可溶粘合增进剂层，以形成图样化的可溶粘合增进剂层；以及通过图样 化的感光层和图样化的可溶粘合增进剂层来蚀刻材料层。
当读取附图时，从以下详细描述能够最好地了解本发明。需要强调的是，根据工业 中的标准方法，多种部件不按照比例绘制并且仅用于说明目的。事实上，为了清楚地描述， 可以任意增加或减小多种部件的尺寸。图1是示出包括底切的传统半导体器件的实施例的截面图。图2a至图2d是处于各个制造阶段的半导体结构的一个实施例的截面图。图3a至图3d是处于各个制造阶段的半导体结构的另一个实施例的截面图。
具体实施例方式应该明白，以下公开提供了多种不同的实施例或实例，用于实现本发明的不同部 件。以下描述了组件和配置的特定实例以简化本发明的公开。当然，这些仅是实例并且不 旨在限制本发明。此外，本公开可以在各个实例中重复参考标号和/或字母。这种重复使 用用于简化和清楚的目的，其本身并不表明多个实施例和/或上述配置之间的关系。此外， 以下描述中在第二部件之上或在第二部件上形成第一部件可以包括形成直接接触的第一 和第二部件的多个实施例，而且还可以包括在第一和第二部件之间可以形成附加部件使得 第一和第二部件可以不直接接触的多个实施例。现在，参照图1，示出了传统半导体器件100的截面图。该器件包括衬底102、材料 层104(例如，将被图样化的层)和图样化层106。图样化层106保护(遮蔽)材料层104 的一部分，使一部分打开(例如，露出)。图样化层106通常包括感光材料。然而，也可以为 其他材料，包括金属、电介质、硬掩模和/或其他适当的掩模材料。执行蚀刻工艺，去除材料 层104的打开部分(例如，不在图样化层106下方的部分)。然而，半导体器件100示出了 传统工工艺的缺点。材料层104包括如凹槽108所示的底切部(undercutting)。凹槽108 在图样化层106的下方。材料层104的这个区域通过湿蚀刻工艺的各向同性特性而被蚀刻 掉，尽管本来没有打算将其去除。凹槽108使得难以控制形成在材料层104上的图样的尺寸。此外，图样化层106会 引起缺陷。例如，随着图样化层106和材料层104之间的粘合表面积的减小，图样化层106 会更加容易地剥离材料层104。图2a至图2d是处于各个制造阶段的半导体结构200的一个实施例的截面图。应 该理解，图2a至图2d被简化以更好地理解本公开的发明理念。现在参照图2a，半导体结构200包括半导体衬底202。在一个实施例中，衬底202 包括晶体结构的硅衬底(例如，晶片)。衬底202的其他实例可包括诸如锗和金刚石的其他 示例性半导体。可选地，衬底202可包括化合物半导体，诸如碳化硅、砷化镓、砷化铟或磷化 铟。根据设计要求，衬底202可包括各种掺杂结构(诸如，ρ型衬底或η型衬底)。此外，衬底202可包括外延层，可以受力以实现性能增强，或者可以包括绝缘体上硅(SOI)结构。衬 底可包括隔离区域、有源区域、掺杂区域、介电层、导电层和/或其他适当的部件。半导体结构200进一步包括设置在衬底202上的材料层204。例如，材料层204包 括导电膜或介电膜。例如，材料层204的厚度可以大约在10埃和100埃之间。如果材料层 204是导电膜，则导电膜可具有小于约lX10_3ohm-m(欧姆 米)的电阻率。优选地，导电 膜包括导电材料或诸如铜、铝、银、钨或它们的组合的金属合金。可选地，导电膜可包括其他 导电材料。例如，导电膜可由各种适当导电材料中的任意一种形成，包括金属氮化物、金属 硫化物、金属硒化物、金属硅化物和它们的组合。如果金属膜包括MXy，则优选地，y大约在 0. 4和2. 5之间，诸如TiN、TaN或WN2。可通过各种沉积技术形成导电膜，诸如化学汽相沉 积(CVD)、物理汽相沉积(PVD或溅射)、原子层沉积(ALD)、电镀或其他适当的技术。在可 选实施例中，材料层204是包括高k(相对于传统氧化硅的高介电常数)材料的介电膜。在 一个实施例中，高k介电材料包括二氧化铪(HfO2)。高k介电质的其他实例包括铪硅氧化 物(HfSiO)、铪硅氮氧化物(HfSiON)、铪钽氧化物(HfTaO)、铪钛氧化物(HfTiO)、铪锆氧化 物(Hf7r0)、它们的组合和/或其他适当的材料。可使用ALD、PVD、CVD和/或其他适当的 工艺形成高k栅极介电层。仍然参照图2a，在材料层204上形成图样化感光层206。图样化感光层206可通 过光刻法、浸入式光刻法或其他适当工艺来形成。例如，可使用诸如旋涂的工艺、光刻工艺 (包括曝光、烘焙和显影工艺)、蚀刻(包括抛光或剥离工艺)和/或其他工艺来形成图样化 感光层206。还可以通过其他适当的方法(诸如无掩模光刻、电子束直写(electron-beam writing)、离子束直写(ion-beam writing)和分子印迹)来实施或替代光刻曝光工艺。图 样化感光层206相对于特定的曝光光束(诸如KrF、ArF、EUV或电子光束)比较敏感。在 一个实例中，图样化感光层包括用于0. 25微米或高级技术节点的聚合物、淬灭剂、发色团、 溶剂和化学增强剂(CA)。CA包括光酸产生剂(PAG)。尽管这里示出为正型抗蚀剂，但是还 可以使用负型抗蚀剂。图样化感光层206可包括单层或多层结构。为了减小渗透和横向蚀 刻率，图样化感光层206还包括结合到图样化感光层206中的粘合增进剂和/或疏水添加 剂。粘合增进剂和/或疏水添加剂被物理地分布在图样化感光层206中或者化学地改变图 样化感光层206以减小渗透和横向蚀刻率。粘合增进剂可以增加材料层204和图样化感光 层206之间的粘附力，并且可以减少渗透。疏水添加剂可以通过湿式化学减小横向蚀刻率。 图样化感光层206可以提供包括保护(例如，覆盖)材料层的一部分并露出(例如，开口) 材料层204的一部分的图样。在一个实施例中，图样化感光层206提供了与形成栅极结构 相关联的图样。参照图2b，对材料层204应用湿蚀刻工艺208，以通过由图样化感光层206限定的 开口来去除材料层204。湿蚀刻材料可包括溶剂或化学物。在一个实施例中，在各种应用 中，溶剂包括NMP、PGME、PGMEAdjC、DMSO。在一个实施例中，化学物包括酸、碱、氧化剂、还原 剂和表面活性剂。例如，酸包括HC1、H2SO4, HNO3> HF或磷酸。碱包括氨或TMAH。氧化剂包 括吐02、!^03或03。表面活性剂包括聚乙烯氧化物、聚丙烯氧化物(或聚环氧丙烷)、聚丁 烯氧化物或聚戊烯氧化物以及诸如PFOS的氟烷基硫酸盐。参照图2c，在通过由图样化感光层206限定的开口去除材料层204之后，形成图样 化材料层204a。可以实施清洗步骤，以在完成湿蚀刻之后去除蚀刻溶液。参照图2d，在湿蚀刻工艺208之后，剥离图样化感光层206。在这种情况下，图样化感光层206下方处于开 口边缘的图样化材料层204a的表面没有被损坏。图样化感光层206可以正确地被转印到 衬底。在各个实施例中，图样化感光层206包括粘合增进剂。在一个实施例中，具有聚合 物结构的粘合增进剂是分子式(1)的化合物R1-X (1)其中，Rl是疏水直/支/环烷基链或烷氧基链，其具有数量在1和18之间的碳； 以及X是配体。配体可以是单个配位基(dendate)或多个配位基，并包括至少一个官能团 SH、S2\ S-CN-、O-NO2-、N_N2_、OH、
2、N = C = CH3CN, C5H5N, NH3, N-O2_、0-N-0—、CN_、CO、COO-、C00H、胺、酰胺、卤化物、磷化氢、吡啶、烯烃、炔和芳香族碳环。烷基配体可以粘附至材料层204，以增加材料层204和图样化感光层206之间的粘 合性。聚合物结构包括烷基链。烷基配体的分子量小于烷基链的分子量的90%。在各个实施例中，图样化感光层206包括粘合增进剂。在一个实例中，具有聚硅氧 烷结构的粘合增进剂为分子式(2)的化合物 其中，a是在1和10之间的单体单元(mer unit)数量；Rl和R2是包括选自由H、 0H、卤化物、碳数在1和15之间的直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组 成的组的材料的官能团；烷基链、烷氧基链、氟烷基链、氟烷氧基链还可以包括选自H、卤化 物、烷氧基、酯、-CN、-NC0、-0CN、C00H、0H、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基， 侧基的分子量小于烷基、烷氧基、氟烷基、氟烷氧基链的分子量的90%。硅氧烷的分子量约 在100和2000之间。在各个实施例中，图样化感光层206包括疏水添加剂。在一个实施例中，包括氟代 烷的疏水添加剂是分子式(3)的化合物 其中，Rl、R2、R3、R4、R5、R6和R7是包括选自由H、0H、卤化物、碳数在1和15之间的
直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的材料的官能团；烷基链、 烷氧基链、氟烷基链、氟烷氧基链还可以包括选自H、卤化物、烷氧基、酯、-CN、-NC0、-0CN、 C00H、0H、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，侧基的分子量小于氟代烷的分子 量的90%。氟代烷的分子量在100和20000之间。
在各个实施例中，图样化感光层206包括疏水添加剂。在一个实施例中，包括含氟 表面活化剂的疏水添加剂是分子式(4)的化合物 其中，X包括选自由硫酸盐、亚硫酸盐、磷酸盐、硝酸盐、亚硝酸盐和羧酸基团组 成的组的材料；Rl、R2、R3、R4、R5和R6是包括选自由H、0H、卤化物、碳数在1和15之间 的直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的材料的官能团；直 /环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链还可以包括选自H、商化物、烷氧基、 酯、-CN、-NC0、-0CN、C00H、0H、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，侧基的分子 量小于烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链分子量的90%。在各个实施例中，图样化感光层206包括疏水添加剂。在一个实施例中，包括氟硅 (fluorosiloxane)的疏水添加剂是分子式(5)的化合物 其中，a是在1和15之间的单体单元数量；Rl和R2是包括选自由H、0H、卤化物、 碳数在1和15之间的直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的 材料的官能团。至少一个Rl或R2是氟烷基链/氟烷氧基链。直/环/支烷基链/烷氧基 链/氟烷基链/氟烷氧基链还可以包括选自H、卤化物、烷氧基、酯、-CN、-NC0、-0CN、C00H、 0H、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，侧基的分子量小于分子量的90%。氟硅 的分子量大约在100和20000之间。在各个实施例中，图样化感光层206包括疏水添加剂。在一个实例中，包括氟化聚 合物的疏水添加剂的氟含量大约在氟化聚合物的分子量的0. 和40%之间。在一个实例 中，氟化聚合物可以是氟化丙烯酸盐或氟化异丁烯酸盐的一部分(moiety)。氟化聚合物是 分子式(6)的化合物 其中，Rl是H或甲基基团；R2和R3是包括选自由Η、0Η、卤化物、碳数在1和6之 间的直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的材料的官能团。直 /环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链还可以包括选自H、商化物、烷氧基、 酯、-CN、-NC0、-0CN、C00H、0H、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，侧基的分子 量小于烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链分子量的90%。在另一个实例中，氟化 聚合物可包括具有分子式(7)的化合物的氟化聚合物主链 其中，Rl是H、卤化物或烷基基团。在另一个实例中，氟化聚合物可以是氟烷基、氟 烷氧基或氟乙醇。氟化聚合物是分子式(8)的化合物 其中，Rl是H或甲基基团；R2包括选自由Η、0Η、卤化物、碳数在1和6之间的直/ 环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的材料。直/环/支烷基链/ 烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链还可以包括选自H、卤化物、烷氧基、酯、-CN、-NC0、-0CN、 C00H、OH、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，侧基的分子量小于烷基链/烷氧 基链/氟烷基链/氟烷氧基链分子量的90%。在另一个实例中，氟化聚合物可以是2-氟代 异丙基苯乙烯、2-氟代异丙醇苯乙烯、3-氟代异丙基苯乙烯、3-氟代异丙醇苯乙烯、4-氟代 异丙基苯乙烯或4-氟代异丙醇苯乙烯。氟化聚合物是分子式(9)的化合物 其中，Rl是H或甲基基团；R2和R3是包括选自由Η、0Η、碳数在1和6之间的 直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的材料的官能团。直/ 环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链还可以包括选自H、商化物、烷氧基、 酯、-CN、-NC0、-0CN、C00H、0H、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，侧基的分子 量小于分子量的90%。图3a至图3d是处于各个制造阶段的半导体结构300的一个实施例的截面图。应 该理解，图3a至图3d被简化以更好地理解本公开的发明理念。半导体结构300与图2的 半导体器件200类似。因此，为了简明清楚，图2和图3中的类似部件202、204和204a的 编号相同。现在，参照图3a，半导体结构300包括半导体衬底202。半导体结构300还包括设 置在衬底202上的材料层204。此外，在衬底上在材料层204上面形成可溶粘合增进剂层 305。可溶粘合增进剂层305包括使其可溶于水的成分，因此，可从衬底上去除。可溶粘合 增进剂层305可包括单层或多层结构。可溶粘合增进剂层305包括结合到可溶粘合增进剂 层305中的粘合增进剂。粘合增进剂可以增加材料层204和可溶粘合增进剂层305之间的 粘附力，并且可以减少渗透。粘合增进剂被物理地分布在可溶粘合增进剂层305中或者化 学地改变可溶粘合增进剂层305以减小渗透和横向蚀刻率。图样化感光层306可通过上面 讨论的光刻法、浸入式光刻法或其他适当的工艺来形成。图样化感光层306可具有结合到 图样化感光层306中的粘合增进剂和/或疏水添加剂。粘合增进剂和/或疏水添加剂被物 理地分布在图样化感光层306中或者化学地改变图样化感光层306以减小渗透和横向蚀刻 率。 在一个实施例中，可溶粘合增进剂层305包括粘合增进剂。在一个实例中，具有聚
合物结构的粘合增进剂是分子式(10)的化合物 其中，a是数量在5和100之间的单体单元；Rl和R2是包括碳数在1和15之间的 疏水烷基链的官能团；X是分子量大约在100和2000之间的烷基配体；烷基配体包括选自 由SH、PH3、卤化物、羟基、环氧(印oxyl)、氰基、胺、酰胺和不饱和碳链(烯烃、炔烃、芳香烃) 所组成的组的材料。烷基配体可粘附至材料层204以增加材料层204和图样化感光层206 之间的粘合性。聚合物结构包括烷基链。烷基配体的分子量小于烷基链的分子量的90%。
在各个实施例中，可溶粘合增进剂层305包括粘合增进剂。在一个实例中，具有聚 硅氧烷结构的粘合增进剂是分子式(U)的化合物
(11) 其中，a是数量在1和10之间的单体单元；Rl和R2是包括选自由H、0H、卤化物、 碳数在1和15之间的烷基链、烷氧基链、氟烷基链、氟烷氧基链组成的组的材料的官能团； 烷基链、烷氧基链、氟烷基链、氟烷氧基链包括选自由0H、酰胺、SH、内酯、胺、羧酸和酯官能 团组成的组的材料。官能团的分子量小于烷基链、烷氧基链、氟烷基链、氟烷氧基链的分子 量的90%。硅氧烷的分子量大约在100和2000之间。参照图3b，对在水中可除去(例如，可溶)的可溶粘合增进剂层305进行湿蚀刻工 艺308，以去除在不被剩余的图样化感光层306所保护的部分中的可溶粘合增进剂层305。 然后，湿蚀刻工艺308进行到材料层204，以通过由图样化感光层306和图样化可溶粘合增 进剂层305a限定的开口来去除材料层204。湿蚀刻材料可包括溶剂或化学物。在一个实 施例中，在各种应用中，溶剂包括NMP、PGME, PGMEA、水、或DMS0。在一个实施例中，化学物 包括酸、碱、氧化剂、还原剂和表面活性剂。酸包括HC1、H2S04、HN03、HF或磷酸。碱包括氨或 TMAH。氧化剂包括H202、!^03或03。表面活性剂包括聚乙烯氧化物、聚丙烯氧化物、聚丁烯 氧化物或聚戊烯氧化物。去除可溶粘合增进剂层305和材料层204的湿蚀刻材料可以相同 或不同。参照图3c，在通过由图样化感光层306限定的开口去除可溶粘合增进剂层305和 材料层204之后，形成图样化可溶粘合增进剂层305a和图样化材料层204a。可以实施清洗 步骤，以在完成湿蚀刻之后去除蚀刻溶液。参照图3d，在湿蚀刻工艺308之后，剥离图样化 感光层306和可溶粘合增进剂层305a。在这种情况下，图样化感光层306下方处于开口边 缘的图样化材料层204a的表面没有被损坏。图样化感光层306可以正确地被转印到衬底。以上描述了多个实施例的特征。本领域技术人员应该想到，可以容易地使用本公 开作为用于设计或修改实现与在此介绍的实施例相同目的和/或实现相同优点的其他处 理和结构的基础。本领域技术人员还应该认识到，这样的等价结构不脱离本公开的精神和 范围，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以进行多种改变、替换、以及更改。
权利要求
一种蚀刻方法，包括在衬底上形成材料层；在所述材料层的上方形成感光层，其中，所述感光层包括粘合增进剂，其中，分子量(M.W.)约在100和2000之间的所述粘合增进剂包括至少一种具有烷基配体或硅氧烷的聚合物；对所述感光层进行图样化，以形成图样化感光层；以及穿过所述图样化感光层来蚀刻所述材料层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述烷基配体包括选自由SH、PH3、卤化物、羟基、 环氧、氰基、胺、酰胺和不饱和碳链(烯烃、炔烃、芳香烃)所组成的组的官能团。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述粘合增进剂是烷基配体， 所述配体的分子量小于烷基链的分子量的90%。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅氧烷包括聚硅氧烷，其中，所述聚硅氧烷 包括数量在1和10之间的单体单元，所述聚硅氧烷包括官能团，其中，所述官能团包括选自由H、0H、碳数在1和15之间的 直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链组成的组的材料，所述直/环/支烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链还包括选自H、商化物、烷 氧基、酯、-^-0、-0^0)0!1、0!1、酰胺、胺、内酯、内酰胺、硫基和磺酰基团的侧基，所述侧 基的分子量小于烷基链/烷氧基链/氟烷基链/氟烷氧基链分子量的90%。
5.一种蚀刻方法，包括 在衬底上形成材料层；在所述材料层的上方形成感光层，其中，所述感光层包括疏水添加剂，所述疏水添加剂 包括选自由氟化聚合物、氟代烷、氟硅和含氟表面活化剂组成的组的材料； 对所述感光层进行图样化，以形成图样化感光层；以及 穿过所述图样化感光层来蚀刻所述材料层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氟化聚合物的氟含量大约在所述氟化聚合 物的分子量的0. 和40%之间。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氟化聚合物包括氟化丙烯酸盐或氟化异丁 烯酸盐的一部分。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氟化聚合物包括氟化主链。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氟化聚合物包括氟烷基、氟烷氧基或氟乙
10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氟化聚合物包括2-氟代异丙基苯乙烯、 2-氟代异丙醇苯乙烯、3-氟代异丙基苯乙烯、3-氟代异丙醇苯乙烯、4-氟代异丙基苯乙烯 或4-氟代异丙醇苯乙烯。
11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氟代烷或所述氟硅的分子量大约在100和 20000之间，所述含氟表面活化剂的分子量大约在100和1000之间。
12.一种蚀刻方法，包括 在衬底上形成材料层；在所述材料层的上方形成可溶粘合增进剂层，其中，分子量(M. W.)约在100和2000之间的可溶粘合增进剂包括至少一种具有烷基配体或硅氧烷的聚合物；在所述可溶粘合增进剂层的上方形成感光层；对所述感光层进行图样化，以形成图样化感光层；穿过所述图样化感光层来蚀刻所述可溶粘合增进剂层，以形成图样化可溶粘合增进剂 层；以及穿过所述图样化感光层和所述图样化可溶粘合增进剂层来蚀刻所述材料层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述烷基配体包括选自由SH、S2—、S-CN_、 O-NO2-、N_N2_、OH、
2、N = C = CH3CN, C5H5N, NH3、N_0” O-N-CT、 CN_、CO、COO-、C00H、胺、酰胺、卤化物、磷化氢、吡啶、烯烃、炔烃和芳香族碳环所组成的组的 材料。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述配体的分子量小于烷基链的分子量的 90%。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述硅氧烷包括聚硅氧烷，其中，所述聚硅氧 烷包括在1和10之间的单体单元数量，所述聚硅氧烷包括官能团，其中，所述官能团包括选 自由H、0H、卤化物、碳数在1和15之间的烷基链、烷氧基链、氟烷基链、氟烷氧基链所组成 的组的材料。
全文摘要
本发明提供了用于蚀刻衬底的方法。该方法包括在衬底上形成图样化感光层；对衬底施加蚀刻化学流体，其中，所述图样化感光层包括粘合增进剂和/或疏水添加剂；去除蚀刻化学流体；以及去除抗蚀剂图样。
文档编号G03F7/004GK101930170SQ20101014245
公开日2010年12月29日 申请日期2010年4月2日 优先权日2009年4月2日
发明者张庆裕, 王建惟, 黄俊清 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司