技术编号：2763439
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及特别可用于使厚膜成像的光敏性光致抗蚀剂组合物。在某些情况下，光致抗蚀剂膜具有大于2 μ m(微米)的厚度。本发明进一步提供本发明光敏性组合物的涂 覆和成像方法。背景技术光致抗蚀剂组合物用于缩微光刻方法，这些方法例如在计算机芯片和集成电路的 制造中用于制造小型化电子元件。通常，在这些方法中，首先将光致抗蚀剂组合物的膜涂层 施加于基材材料上，例如用于制造集成电路的硅晶片上。然后烘烤该已涂覆的基材以使该 光致抗蚀剂组合物中的任何溶剂蒸发并将涂层固定到基...
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