技术编号：2774827
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景发明领域本发明涉及包含晶体III族元素氮化物的电学器件和光学器件。先有技术在电学和光学器件中采用晶体III族元素氮化物半导体。对于电学器件，已经用III族元素氮化物来制造场发射极。场发射极是具有尖端的导体结构，该尖端响应电荷产生高电场。该高电场使得该尖端发射电子。为此，场发射极的阵列可以操作荧光图像屏。一种先有技术方法已经用III族元素氮化物制造场发射极的阵列。III族元素氮化物具有很好的化学和机械稳定性，因为III族元素氮化物的化学键很稳定。这种稳定...
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