技术编号：2784115
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，并且更特别涉及形成由可蚀刻层构成的图形的方法，该方法通过在可蚀刻层上形成已摹制的辐射敏感材料涂层的掩模，在半导体的基质上对所形成的可蚀刻层进行干法蚀刻，该可蚀刻层具有由彼此介入(intervened)的有机材料组成的抗反射涂层。背景技术 随着使用复杂半导体集成电路设备的不断小型化，已经形成了具有非常精细图形的半导体电路。随着该小型化的发展，按照图形平板印刷术方法使用已摹制的辐射敏感材料涂层作为掩模在小尺寸芯片上形成复杂的电路已经变得非常困难。该...
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