技术编号：2794394
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及。背景技术随着集成电路技术的不断缩微，目前主流的集成电路制造已经进入了 65nm甚至更小的阶段，整体工艺窗口越来越小，尤其是对准精度的要求更为苛求，而在生产中也发现光掩模版上的图形位置精度的偏差占整体工艺窗口余量的比重越来越大。图1是本发明背景技术中光掩模版重修后光掩模版对比保护膜的图形位置对准标记量测值的示意图。如图1所示，光掩模版1重修后，靠近保护膜(pellicle)的图形外围光掩模版位置对准标记(registrat...
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