技术编号：2795854
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及浸没液体、曝光装置和曝光方法。背景技术由于浸没式光刻提供对临界尺寸和/或聚焦深度的改进，因此，浸没式光刻得到了关注。然而，该技术也面临一些问题。例如，一方面，当干燥超纯浸没液体弄湿的区域时，所述液体有利于使出现污染的可能性最小，但另一方面，可能会期望在浸没液体中加入添加剂、以影响或产生期望的属性。例如，可能期望在浸没液体中包含酸性成份，以避免或使所谓的T型顶(T-topping)或其它不期望的效果最小化。例如，当将被暴露于辐射线的衬底上的抗蚀剂层...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。