专利名称：浸没液体、曝光装置及曝光方法
技术领域：
本发明涉及浸没液体、曝光装置和曝光方法。
背景技术：
由于浸没式光刻提供对临界尺寸和/或聚焦深度的改进，因此，浸没式光刻得到了关注。然而，该技术也面临一些问题。例如，一方面，当干燥超纯浸没液体弄湿的区域时，所述液体有利于使出现污染的可能性最小，但另一方面，可能会期望在浸没液体中加入添加剂、以影响或产生期望的属性。例如，可能期望在浸没液体中包含酸性成份，以避免或使所谓的T型顶(T-topping)或其它不期望的效果最小化。例如，当将被暴露于辐射线的衬底上的抗蚀剂层接触浸没液体，并且抗蚀剂中的成份(例如，感光成酸剂)扩散或溶解入浸没液体中时，可能会出现T型顶。参见EP 1 482 372A1。由此，本发明的目的包括提供一种浸没液体，所述浸没液体包括一种或多种添加剂，并且具有减小的污染问题。此外，本发明的目的包括避免或使由浸没液体的流动导致的流动电位势效应(streaming potential effects)最小化(下文将更详细地描述)。
发明内容
本发明提供了浸没液体、曝光装置和曝光方法。在一个实施例中，本发明提供了由如下方法形成的浸没液体，所述方法包括将离子形成成分(component)加入液体(例如水成液)，其中所述离子形成成分的蒸汽压力大于0. lkPa，例如大于水的蒸汽压力。在一个实施例中，本发明提供了 pH值低于7的浸没液体，所述低于7的PH值至少部分地由蒸汽压力大于0. IkPa(例如大于水的蒸汽压力)的成分引起。在一个实施例中，本发明提供了 PH值大于7的浸没液体，所述大于7的PH值至少部分地由蒸汽压力大于0. IkPa(例如大于水的蒸汽压力)的成分引起。在一个实施例中，本发明提供了电导率至少为0. 1μ S/cm的浸没液体，例如25°C时至少为1.3 μ S/cm。在一个实施例中，本发明提供一种浸没液体，其具有在25°C时0. 1-100 μ S/cm范围的电导率，例如在25°C时1. 3-100 μ S/cm的范围。在一个实施例中，所述电导率至少部分地由蒸汽压力大于0. IkPa(例如大于水的蒸汽压力)的成分引起。
并且，本发明提供了使用浸没液体的方法，例如浸没式光刻方法。在一个实例中，本发明提供了一种制造方法，包括使感光衬底暴露于辐射线，其中在到达所述衬底前，所述辐射线已穿过浸没液体。此外，本发明提供了浸没式光刻系统，其包括浸没式光刻装置；和一种或多种浸没液体。在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括(i)将蒸汽压力大于0. lkPa，例如大于水的蒸汽压力，的成分添加入液体；(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述水成液，其中添加所述成分的所述添加步骤增加了所述液体中的离子浓度。在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括(i)将酸加入液体，所述酸具有至少0. IkPa的蒸汽压力，例如至少5kPa ；(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述液体。在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括(i)使辐射束形成图案；(ii)使形成图案的辐射束穿过液体(例如，水成液)，所述液体包括由蒸汽压力大于0. IkPa的成分形成的离子，所述液体的电导率至少为0. 25 μ S/cm ；(iii)使感光衬底暴露于形成图案的辐射束。在一个实施例中，本发明提供了浸没式光刻系统，包括(i)浸没式光刻曝光装置；和(ii)浸没液体，例如在25°C时电导率在0. 1-100 μ S/cm范围内的浸没液体(例如，25°C时在1. 3-100 μ S/cm的范围内)，或富含二氧化碳的浸没液体。在一个实施例中，本发明提供了一种光刻装置，其具有电压发生器，能够在光刻装置的第一部件(例如衬底台)和光刻装置的第二部件(例如浸没式光刻装置的浸没罩)之间施加电压差。在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括在光刻装置的第一部件(例如衬底台)和光刻装置的第二部件(例如浸没式光刻装置的浸没罩)之间施加电压差。在这个说明书中列出了本发明的其它目的、优点和特性，并且通过随后的研究，对本领域的普通技术人员而言其中一部分将很明显，或通过实践本发明可以了解到。
图1表示根据本发明的一个实施例的浸没式光刻系统。图2表示根据本发明的一个实施例的浸没式光刻系统的浸没罩的实施例。
具体实施例方式预先地，在多种场合，当前申请提到成分的蒸汽压力。关于这一点，“成分的蒸汽压力”指在20°C处纯态(因此不是混合物或溶液)下的成分的蒸汽压力。在一个实施例中，本发明提供了浸没液体。此外，本发明提供了使用浸没液体的方法，例如浸没式光刻方法。
浸没液体在一个实施例中，利用包括将一种或多种成分加入到液体中的方法，准备浸没液体，所述液体例如是水成液，即例如相对于液体的总重量，液体包括至少50wt %的水(诸如至少75wt %的水等)，至少90wt %的，至少95wt %的水，至少99wt %的水，至少99. 5wt %的水，至少99. 9wt%的水，或至少99. 99wt%的水。在一个实施例中，在加入一种或多种成分前，所述液体具有小于0. lyS/cm(在25°C时确定)的电导率。在一个实施例中，所述液体在加入一种或多种成分前经脱气。在一个实施例中，所述液体在加入一种或多种成分前经纯化。在一个实施例中，所述液体是超纯、脱气水。在一个实施例中，加入液体的成分具有相对较高的蒸汽压力。高蒸汽压力例如有助于避免从衬底去除(例如蒸发)浸没液体时对衬底造成污染。在一个实施例中，加入液体的成分的蒸汽压力超过它所加入的液体的蒸汽压力。在一个实施例中，加入液体的成分具有至少0. IkPa的蒸汽压力，例如至少0. 25kPa，至少0. 5kPa，至少0. 75kPa，至少lkPa，至少1. 3kPa，至少1. 5kPa，至少1. 8kPa，至少2. IkPa,或超过水的蒸汽压力(即超过2. 34kPa)。在一个实施例中，加入液体的成分具有至少3. 5kPa的蒸汽压力，例如至少5kPa，至少IOkPa,至少20kPa，至少30kPa，或至少50kPa。在一个实施例中，被加入的成分是蚁酸或乙酸。在一个实施例中，在20°C、1个大气压下以其纯净形式加入液体的成分是气体。在一个实施例中，加入液体的成分是二氧化碳。在一个实施例中，相对于浸没液体的总重量，所述浸没液体包括蒸汽压力低于2. OkPa(例如，低于1. 5kPa，低于lkPa，低于0. 5kPa，低于0. 25kPa，低于0. IkPa,或OkPa)的小于5wt %的成分，例如，小于3wt %，小于Iwt %，小于 0. 5wt %，小于 0. 25wt %，小于 0. Iwt %，小于 0. 05wt %，小于 0. 025wt %，小于0. 01wt%，或小于0. 005Wt%。在一个实施例中，不考虑浸没液体的主要组份(例如，将水作为主要组份的浸没液体中的水)，包括具有相对较高蒸汽压力的成分的浸没液体实质是具有低于2. OkPa的蒸汽压力的缺少成分(absent component)，蒸汽压力例如低于1. 5kPa，低于 lkPa，低于 0. 5kPa,低于 0. 25kPa,低于 0. IkPa,或 OkPa。在一个实施例中，被加入液体的成分例如通过促进离子形成而促进了液体的电导性。增加浸没液体的电导率可有助于减小或避免流动电位势问题。流动电位势例如在文章〃 Streaming Potential Cells For The Study of Erosion-Corrosion Caused ByLiquid Flow" by Varga and Dunne in J. Phys. D :Appl.Phys.，18(1985)，p.211—220 中进行了讨论。例如通过腐蚀或侵蚀，流动电位势例如会缩短与浸没液体流接触的例如涂层、传感器和/或(对准)标记(尤其例如涂层、传感器和/或标记的实质导电成分)的寿命。在一个实施例中，包括所述成分的液体的电导率在25°C时为至少0. 1 μ S/cm，例如，至少为 0. 25 μ S/cm,至少 0. 5 μ S/cm,至少 0. 75 μ S/cm,至少 1 μ S/cm,至少 1. 3 μ S/cm,至少1· 5 μ S/cm,至少 1. 75 μ S/cm,至少 2 μ S/cm,至少 3 μ S/cm,至少 5 μ S/cm,至少 10 μ S/cm,至少25μ S/cm，或至少50 μ S/cm。虽然上述和下述电导率在25°C处确定，但浸没液体被使用时的所处的温度可以不同。然而，引用的值仍是在25°C时确定的电导率。虽然增加电导率可有助于减小或消除流动电位势的影响，但它也增加了需要加入浸没液体的成分的量，这会导致污染或起泡问题。在一个实施例中，包含所述成分的液体的电导率在25°C时小于50mS/cm，例如，小于25mS/cm，小于10mS/cm，小于5mS/cm，小于ImS/cm,小于 500 μ S/cm,小于 250 μ S/cm,小于 150 μ S/cm,小于 75 μ S/cm,小于 50 μ S/cm,小于25 μ S/cm,小于 15μ S/cm,小于 10 μ S/cm,小于 7 μ S/cm,小于 4μ S/cm，或小于 2μ S/cm。在一个实施例中，液体电导率在25°C时在0. 1-100 μ S/cm的范围内，例如，0. 25-25 μ S/cm,0. 4-10μ S/cm，或0. 6-6μ S/cm。在一个实施例中，通过将盐或酸加入液体，增加了例如水成液(诸如超纯水)的液体的电导率。在一个实施例中，所述液体富有乙酸、蚁酸、0)2(0)2可形成在水中/与水形成离子H+和HCO3-)，或NH3 (NH3可形成在水中/与水形成离子NH4+和
or)。此外，通过减小水流的速度和/或涡流，流动电势可得以减小或避免。此外，虽然不一定会避免流动电位势本身，但在受流动电位势影响的区域(例如，衬底台，例如衬底台上的传感器或传感器板)与其它区域之间提供电压差可以限制或使由流动电位势导致的不期望的影响无效。在一个实施例中，本发明提供了一种光刻装置，其具有电压发生器，能够在光刻装置的第一部件(例如衬底台)和光刻装置的第二部件(例如浸没式光刻装置的浸没罩)之间施加电压差。在一个实施例中，本发明提供了一种方法，包括在光刻装置的第一部件(例如衬底台)和光刻装置的第二部件(例如浸没式光刻装置的浸没罩)之间施加电压差。在一个实施例中，该电压差至少为0. IV，例如至少0. 25V，至少0. 5V，至少IV，至少2V，至少3V，至少4V，或至少5V。在一个实施例中，电压差小于50V。在一个实施例中，加入液体的成分是酸成分，例如，乙酸、蚁酸或C02。浸没液体的酸性有助于例如通过帮助减缓/减小抗蚀剂中存在的感光成酸剂(photo-acidgenerators)在浸没液体中的扩散或溶解，来保持可能与浸没液体接触的抗蚀剂的效果。在一个实施例中，包括所述成分的液体具有低于7的pH值，例如，低于6. 5，低于6.0，低于5. 5，低于5. 0，低于4. 5，或低于4. 0。在一个实施例中，该pH值至少为2. 0，例如，至少2. 5，至少3. 0,至少3. 5，至少3. 75，至少4. 0,至少4. 5，至少5. 0,或至少5. 5。在一个实施例中，加入液体的成分是基剂，例如氨(NH3)。如果抗蚀剂包括可能泄漏到浸没液体中的碱性成分(基剂)而不是酸性成分，浸没液体的碱度可有助于保持可能接触浸没液体的抗蚀剂的效果。在一个实施例中，包括所述成分的液体具有超过7的pH值，例如，超过7. 5，超过8，超过8. 5，超过9，超过9. 5或超过10。在一个实施例中，该pH值低于14。将(一种或多种)成分加入液体的方式可以不同，并且在一定程度上，可能例如取决于加入成分的类型(例如，它是否可作为气体、固体或液体获得)。在一个实施例中，通过经由隔膜的扩散加入所述成分。例如，所述液体可以在隔膜的一侧流动，并且成分在隔膜的另一侧，借此，所述液体不能渗透隔膜，但成分可渗透，从而允许成分扩散入液体。在一个实施例中，如此加入的所述成分是气体，例如CO2。在一个实施例中，所述成分与一种或几种惰性气体一起加入，例如队。相应地，在一个实施例中，液体(例如，水成液，如超纯水)在隔膜的一侧流动，并且C02/N2混合物在隔膜的另一侧流动，使CO2和N2扩散入液体。适合的隔膜设备的商用实例包括例如来自MEMBRANA的LIQUI-CEL隔膜萃取器。在一个实施例中，通过使所述成分流入(例如，滴入)所述液体(或者例如当所述成分是氨、液体是水时，通过使比较浓的成份/液体溶液流入所述液体，而通过使比较浓的水成氨溶液流入水中可以加入氨)，所述成分被加入液体。可以远离该装置进行(一种或多种)成份的加入(浸没液体可以是“预先准备的”)。加入操作可以在连接到该装置的分离单元中进行(例如，装置的水纯化单元可用于加入一种或多种成分)，或加入操作可以被集成入该装置。方法
技术领域：
本发明提供了使用上述浸没液体的方法，例如其中衬底曝露于辐射线以及其中到达衬底前，辐射线穿过浸没液体的方法。在一个实施例中，提供了包括使衬底曝露于辐射线的方法，其中如上一段所述，所述辐射线已穿过浸没液体。在一个实例中，该方法包括使辐射束形成图案(例如，借助刻线或单独的可编程元件阵列)；使形成图案的光束穿过投影系统(例如，透镜阵列)；使形成图案的光束穿过浸没液体；和利用形成图案的光束使衬底的一部分曝光。在一个实施例中，该衬底是半导体衬底，例如半导体晶片。在一个实施例中，半导体衬底材料从Si，SiGe，SiGeC，SiC，Ge，GaAsdnP，和InAs组成的组中选取。在一个实施例中，该半导体衬底是III/V半导体化合物。在一个实施例中，半导体衬底是硅衬底。在一个实施例中，该衬底是玻璃衬底。在一个实施例中，该衬底是陶瓷衬底。在一个实施例中，该衬底是有机衬底，例如塑料晶片。在一个实施例中，该衬底是感光衬底，例如通过使衬底覆盖一层抗蚀剂。在一个实施例中，提供的装置制造方法包括(i)使辐射束形成图案；(ii)使形成图案的辐射束穿过水成液，所述水成液包括由蒸汽压力大于0. IkPa的成份形成的离子；(iii)使感光衬底暴露于形成图案的辐射束。此外，在一个实施例中，提供的方法包括(i)使辐射束形成图案；(ii)使形成图案的辐射束穿过包括酸或基剂的液体，所述酸或基剂的蒸汽压力超过所述液体的蒸汽压力；(ii)使感光衬底暴露于辐射线，其中在到达所述感光衬底前，所述辐射线已穿过包括所述成分的所述水成液。在一个实施例中，该方法是光刻方法，诸如浸没式光刻方法。执行浸没式光刻方法的装置的实例如图1所示。图1中所示的装置包括照射系统(照射器)IL，被配置以调节辐射束PB (例如UV辐射线或DUV辐射线)；支撑结构(例如，掩膜台)MT被构造用以支撑构图装置MA并被连接到第一定位器PM,所述第一定位器PM被构造用以根据特定参数准确定位构图装置。这种支撑结构支撑，即承载，构图装置的重量。它以依赖构图装置的方位、光刻装置的设计和其它条件的方式保持构图装置，诸如例如构图装置是否被保持在真空环境。该支撑结构能够使用机械、真空、静电或其它夹紧技术以保持构图装置。该支撑结构例如可以是可根据需要被固定或移动的框架或台子。该支撑结构可以确保例如相对于投影系统，构图装置在期望的位置处。这里使用的术语“构图装置”应被宽泛地理解为指代能够用于在其横断面中给予辐射束图案、以在衬底的目标部中产生图案的任何装置。应该注意例如如果图案包括相移特性或所谓的辅助特性，则给予照射束的图案可以不确切地对应衬底的目标部中的期望图案。通常，给予照射束的图案将对应于在目标部中创建的装置中的特殊功能层，诸如集成电路。该构图装置可以是透射的或反射的。构图装置的实例包括掩膜和独立可编程元件阵列(例如，可编程镜阵列或可编程LCD面板)。掩膜在光刻领域中是已知的，并包括诸如二位、交替相移和衰减相移的掩膜类型，以及多种混合掩膜类型。可编程镜阵列的一个实例使用小镜的矩阵排列，其能够被独立倾斜以便沿不同方向反射进入的辐射束。该倾斜镜使由镜矩阵反射的辐射束形成图案。衬底台(例如，晶片台)WT被构造用来保持衬底(例如，抗蚀剂覆盖的晶片)W并被连接到第二定位器PW，所述第二定位器PW被构造用来根据特定参数准确定位衬底。在一个实施例中，该晶片台包括一个或多个传感器(未示出)，例如图像传感器(例如传输图像传感器)、剂量传感器和/或像差传感器。在一个实施例中，一个或多个所述传感器包括一种或多种金属，例如铬。在一个实施例中，一个或多个所述传感器例如涂敷着氮化钛。投影系统(例如，折射投影透镜系统)PL，其配置以通过构图装置MA，将给与辐射束PB的图案投影到衬底W的目标部C (例如，包括一个或多种管芯)。该照射系统可包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电，或其它类型的光学部件，或其任何组合，用于指向、成形或控制辐射线。这里使用的术语“投影系统”应被宽泛地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、反射折射、磁、电磁和静电光学系统，或其任何组合，如适合用于使用的曝光辐射，或用于诸如使用浸没液体或使用真空的其它因素。在一个实施例中，该投影系统包括任何透镜矩阵。在一个实施例中，该装置包括投影系统的矩阵，例如以增加处理量。如这里描述的，所述装置是透射类型的(例如，使用透射掩膜)。可选地，所述装置可以是反射类型的(例如，使用如上提及类型的可编程镜阵列，或使用反射掩膜)。所述光刻装置可以是具有两个(双平台)或多衬底台(和/或两个或多个掩膜台)的类型。在这种“多平台”机器中，附加的台可以平行使用，或可以在一个或多个台上执行预先步骤，同时一个或多个其它台被用于曝光。参照图1，照射器IL从照射源SO接受辐射束。该源和光刻装置可以是分离的实体，例如当所述源是准分子激光器时。在这种情况中，该照射源并不被认为形成光刻装置的一部分，并且借助于光束传输系统BD (例如包括适合的指向镜和/或光束扩展器)，辐射束从源SO传到照射器IL。在其它情况中，照射源可以是光刻装置的整体部分，例如当照射源是汞灯时。如果需要，与光束传输系统BD —起，该照射源SO和照射器IL可被称作辐射系统。在一个实施例中，由辐射源SO提供的辐射线具有至少50nm的波长，例如，至少lOOnm，至少150nm,至少175nm,至少200nm,至少225nm,至少275nm,至少325nm,至少350nm,或至少360nm。在一个实施例中，由辐射源SO提供的辐射线具有至多450nm的波长，例如，至多425nm,至多375nm,至多360nm,至多325nm,至多275nm,至多250nm,至多225nm,至多200nm，或至多175nm。在一个实施例中，辐射线具有365nm，355nm，248nm，或193nm的波长。该照射器IL可包括调节器AD，用于调节辐射束的角强度分布。通常，在照射器的光瞳面中强度分布的至少外和/或内径范围(通常分别称作ο-外和σ-内)能够得以调节。此外，照射器IL可包括多种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。该照射器可被用于调节辐射束，以在其横断面中具有期望的均勻性和强度分布。该辐射束PB入射在由支撑结构MT保持的构图装置MA上，并由构图装置形成图案。已穿过构图装置后，辐射束PB穿过投影系统PL，投影系统PL将光束聚焦在衬底W的目标部C上。在下面进一步描述的浸没罩IH将浸没液体供应到投影系统PL的最后元件和衬底W之间的空间。在一个实施例中，衬底台WT和浸没罩IH被连接到能够在衬底台WT和浸没罩IH之间(例如，在衬底台WT的传感器板与浸没罩IH之间)提供压差的电压发生器V (例如电池)。
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借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT能够被精确移动，例如将不同目标位置C定位在辐射束PB的通路中。类似地，例如在从掩膜库机器检索后或在描绘期间，相对于辐射束PB的通路，第一定位器PM和另一位置传感器(在图1中未明确指示)能够被用于精确定位构图装置MA。总之，支撑结构MT的运动可以借助于长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)实现，其形成第一定位器PM的一部分。类似地，衬底台WT的运动可以使用长行程模块和短行程模块来实现，其形成第二定位器PW的一部分。在步进器(与扫描器相对)的情况中，支撑结构MT可仅被连接到短行程致动装置，或可被固定。构图装置MA和衬底W可以使用对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2对准。虽然所示衬底对准标记占用专用目标部，但它们可以位于目标部之间的空间(这些已知为划道(scribe lane)对准标记)。类似地，在其中一个以上管芯由构图装置MA提供的情况中，对准标记可位于管芯之间。所示装置能够用于如下模式中的至少一种中1.在梯级模式中，支撑结构MT和衬底台WT被保持实质静止，同时给予辐射束的整个图案同时被投影在目标部C上(即，单次静态曝光)。然后，该衬底台WT沿X和/或Y方向移动，以便不同目标部C能够被曝光。在梯级模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次静态曝光中成像的目标部C的尺寸。2.在扫描模式中，支撑结构MT和衬底台WT同时被扫描，同时给予辐射束的图案被投影在目标部C上(S卩，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可由投影系统PL的(缩小)扩大和图像反转特征确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部的宽度(沿非描述方向)，而扫描动作的长度确定了目标部的高度(沿描述方向)。3.在其它模式中，支撑结构MT被实质保持静止，以保持可编程构图装置，并且衬底台WT被移动或扫描，同时给予辐射束的图案被投影在目标部C上。采用这种模式，通常，使用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次运动后，或在扫描期间连续的辐射脉冲之间，可编程构图装置根据需要更新。这种操作模式能够容易地应用于使用可编程构图装置的无掩膜光刻，诸如上面提及的可编程镜阵列类型。也可以使用有关上面描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变体。图2显示了浸没罩IH的实施例。该浸没罩10围绕投影系统的图像场形成对衬底的无接触密封，以便浸没液体11被限制填充衬底表面和投影系统的最后元件之间的空间。位于投影系统PL的最后元件的下方并围绕投影系统PL的最后元件的密封部件12形成液池。浸没液体11进入投影系统下和密封部件12内的空间。该密封部件12延伸在投影系统的最后元件的略上方，并且液体水平升至最后元件的上方，以便提供液体的缓冲。该密封部件12具有内周，在一个实施例中，其在上端处接近地符合投影系统或其最终元件的形状，并可以例如是圆的。在底部处，所述内周接近地符合图像场的形状，例如矩形，虽然这不必是必须的。利用密封部件12的底部和衬底W的表面之间的气封16，该浸没液体11被限制在浸没罩10中。该气封由诸如空气或合成等气体形成，但在一个实施例中，由氮或惯性气体形成，所述气体经入口 15在压力下提供到密封部件12和衬底之间的间隙，并经第一出口 14抽取。对气体入口 15的过压、对第一出口 14的真空水平和间隙的几何尺寸被设置，以便存在限制液体的高速向内气体流。产品利用当前方法和系统能够创建的一些装置实例例如包括微型机电系统(“MEMS")、薄膜头、集成无源部件、图像传感器、集成电路(“IC")——例如包括电源IC、模拟IC和离散IC——和液晶显示屏。已描述了本发明的特定实施例，应该理解对于本领域的技术人员，将容易出现或会启发其许多修改，并且因此，本发明预期仅由下述权利要求的精神和范围限制。
权利要求
1.一种光刻装置，包括投影系统，所述投影系统将图案化的图像投影到衬底上；用于支撑所述衬底的衬底台；浸没罩，用于将浸没液体限制到所述投影系统的最终元件与所述衬底之间的空间；以及电压发生器，所述电压发生器功能性地连接到所述衬底台、并且功能性地连接到所述光刻装置的第二部件；所述电压发生器能够在所述衬底台与所述第二部件之间建立电压差。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二部件是浸没罩。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述浸没罩形成对所述衬底的无接触密封。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述浸没罩包括气体密封，用于形成所述无接触密封。
5.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述衬底台包括传感器或传感器板。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述电压发生器能够在所述传感器或传感器板与所述第二部件之间建立电压。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述传感器包括图像传感器、剂量传感器和像差传感器中的一种或多种。
8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述传感器包括一种或多种金属。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述传感器包括铬。
10.根据权利要求5所述的装置，其中，所述传感器包括涂层。
11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述涂层是氮化钛涂层。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电压差至少为0.IV。
13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电压差至多为50V。
14.一种器件制造方法，包括将衬底支撑在衬底台上；通过投影系统将图案从构图装置转移到衬底上；将浸没液体限制在所述投影系统的最终元件与所述衬底之间的空间；以及在所述光刻装置的第二部件与所述衬底台之间建立电压差，所述光刻装置的第二部件和所述衬底台连接至电压发生器。
全文摘要
提供了一种浸没液体，包括具有相对较高蒸汽压力的离子形成成分，例如酸或基剂。还提供了使用该浸没液体的光刻方法和光刻系统。
文档编号G03F7/20GK102385260SQ201110325529
公开日2012年3月21日 申请日期2006年2月6日 优先权日2005年2月10日
发明者安东尼·奎吉普, 弗朗西斯克思·约翰内思·圣约瑟·詹森, 杰克布思·约翰纳思·利昂纳得斯·亨朱克思·沃斯贝, 汉斯·詹森, 马克·凯尔特·斯坦温哥 申请人:Asml荷兰有限公司