技术编号：2808926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造半导体器件的掩模以及使用该掩模形成半 导体器件的方法。背景技术随着半导体器件的集成度变高，半导体器件的尺寸减小。特别 是对于闪存来说，不得不将更多器件集成在半导体基板上，以增加存 储器的存储容量。因此，半导体器件的密度增加，并且电路构造变得 更复杂。图1示出包含闪存10的漏极触点40的传统半导体器件的平面 图。 -漏极触点40非常密集地布置在第一栅极20与第二栅极30之间， 其中第一栅极20为漏极选择线，而第二栅极30为对应于垫块区(ma...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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