技术编号：2818025
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。涉及薄膜晶体管或使用该薄膜晶体管工作的显示器件。 背景技术作为场效应晶体管的一种，已知将沟道形成区域形成于形成在具 有绝缘表面的衬底上的半导体层中的薄膜晶体管。已公开将非晶硅、 微晶硅及多晶硅作为用于薄膜晶体管的半导体层使用的技术(参照专利文献1至5)。薄膜晶体管的典型的应用例为液晶电视装置，并且 作为构成显示面板的各像素的开关晶体管实现实用化。 专利文献1日本专利申请公开2001-053283号公报 专利文献2日本专利申请公开H5-129608号公报 专...
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