技术编号：2818655
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路的制造工艺方法，特别是涉及一种控制硅锗合金 (SiGe)刻面生长效果的方法。背景技术由于SiGeBiCMOS (硅锗双极互补金属氧化半导体)具有与CMOS工艺良好的兼容 性，并能满足高速、低噪音的要求，在射频领域有了越来越多的应用。现有的SiGeBiCMOS制作工艺方法是在CMOS工艺的基础上直接集成锗硅异质结双 极晶体管，如图1所示。在这种情况下，由于SiGe会直接淀积在STI (浅沟槽隔离)的边 缘，而SiGe在有源区会生长成单...
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