技术编号：28319900
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体封装领域，特别是一种微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法。背景技术.随着硅基微机电(mems)和射频硅通孔(rf tsv)工艺技术的发展，三维异构集成微系统技术成为下一代军用高集成电子系统技术发展重要方向。三维异构集成是将不同尺寸质地的芯片埋入硅基衬底上的硅空腔通过后布线技术扇出，再通过硅通孔来实现高密度集成的集成方法。.但是，随着硅转接板上集成度越来越高功能越来越多，一个硅转接板上只内埋同一种芯片(即一种厚度的芯片)已经无法满足其集成度要求。故需要在同一个硅转接板上制...
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