技术编号：2858074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用等离子体的平行平板型的基板处理装置和基板处 理方法。背景技术在平行平板型的基板处理装置中，具备相互平行地配置的上部电极和下部电极，对该上部电极或下部电极施加RF (高频)而产生等离 子体，利用该等离子体处理放置在下部电极上的基板(晶片)。并且，为了控制等离子体密度和从等离子体向基板射入的离子的 能量，提案有对下部电极叠加施加RF (高频)和脉冲负电压的方法。 在该方法中，利用RF控制等离子体密度，利用负电压脉冲控制离子的 能量(参照专利文献l...
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