技术编号:28664585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体接合技术,尤其涉及一种接合用晶片结构及其制造方法。背景技术.外延(epitaxy)是指在晶片上长出新结晶,以形成半导体层的技术。由于以外延工艺所形成的膜层具有纯度高、厚度控制性佳等优点,因此已经广泛应用于射频器件或功率器件的制造中。.然而,一般外延成长的晶片或晶锭,因为邻近晶种的外延结构缺陷多、应力大,所以通常舍弃不用,只保留品质较佳的外延结构,导致废弃成本增加。发明内容.本发明是针对一种接合用晶片结构,能降低成本并将品质差的碳化硅晶片转用至接合用基板。.本发明另...
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