技术编号：2889619
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场发射阴极结构及其制备方法，特别涉及一种CNT双层 掺混结构的薄膜场发射阴极及其制备方法。 背景技术自从Lijima发现CNT以来，CNT在场发射领域得到了广泛的应用。相 比传统的硅尖、钨尖和钼尖等阵列，CNT具有更尖锐的场发射尖端、更高的 机械强度和更稳定的化学特性，并且材料来源广泛，制备工艺相对简单。目 前，制备CNT场发射阴极的方法有两种，化学气相沉积法(CVD)和移植 法。由于利用CVD技术制备CNT阴极的成本较高，特别是用来制备大尺...
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