技术编号：2897172
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低能注入模式切换器的制造方法。进一步地，本发明涉及简单而且经济的气缸制造方法。属于半导体器件制造装备领域。背景技术在离子注入工艺中，根据注入元素的不同，要求的电离能量也是差距极大，尤其在在四方位注入中，靶台上待注人的晶片自转45°注入一次，既要保证注入质量，还要尽可能高效率就成了必须解决的问题。由于是能量转换，安全因素必须考虑，离子注入工艺中通常要加几十-几百kv电压，所以用气动控制器来调节能量是最安全的方法。根据能量要求， 只需控制线路开关来启...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。