技术编号：2904443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具备在处理室内升降自如的上部电极的等离子体处理装置。 背景技术作为制造半导体元件的等离子体处理装置，多数情况下使用如下所谓的平行平板型的装置，即，在其处理室内具备例如载置半导体晶片或液晶基板等的基板的下部电极和与该下部电极相对配置的上部电极。在这种等离子体处理装置中，在下部电极上载置基板， 从形成于上部电极上的多个吹出孔向下部电极导入规定的处理气体，并在电极间施加高频电力，由此产生处理气体的等离子体。这样，对基板实施蚀刻或成膜等的等离子体处理...
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