专利名称：等离子体处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具备在处理室内升降自如的上部电极的等离子体处理装置。
背景技术：
作为制造半导体元件的等离子体处理装置，多数情况下使用如下所谓的平行平板型的装置，即，在其处理室内具备例如载置半导体晶片或液晶基板等的基板的下部电极和与该下部电极相对配置的上部电极。在这种等离子体处理装置中，在下部电极上载置基板， 从形成于上部电极上的多个吹出孔向下部电极导入规定的处理气体，并在电极间施加高频电力，由此产生处理气体的等离子体。这样，对基板实施蚀刻或成膜等的等离子体处理。在这种平行平板型等离子体处理装置中，上部电极与下部电极的电极间距离影响基板的等离子体处理特性，因此，优选根据各个等离子体处理的种类和处理条件进行正确的调整。特别是在相同的处理室内连续地实施处理条件和种类不同的等离子体处理的情况下，优选调整成最适合各个等离子体处理的电极间距离。因此，目前已经开发出了如下的等离子体处理装置，即，上部电极采用自由升降的方式构成，从而能够将电极间距离调整至最佳(例如，参照下述专利文献1)。专利文献1中所述的等离子体处理装置构成为在处理室的顶壁上通过波纹管以升降自如的方式安装上部电极，使上部电极在顶壁和下部电极之间升降。这样，通过使上部电极升降就能够调整上部电极和下部电极的距离(电极间距离)。专利文献1日本特开2005-93843号公报
发明内容
但是，在上述现有的等离子体处理装置中，由于在上部电极的上侧设有波纹管，因此，即使该波纹管收缩也会保留一定的高度，因此，在处理室内最终形成被顶壁和上部电极所夹持的空间(上部电极的上部空间)。因此，在该上部空间中，供给处理室内的处理气体有可能从上部电极的侧面和处理室的内壁的间缝进入并残留在其中。如果处理气体最终进入该空间中，那么，即使驱动真空泵也难以排出。这样，例如当实施下一个等离子体处理时，在进行处理室内的压力调整时和使上部电极升降时，残留在上部空间中的处理气体向下进入上部电极下方的处理空间，所以，有可能影响等离子体处理特性。另外，如果处理气体进入上部电极的上部空间，那么，压力也会增高，当在电极间施加高频电力时，有可能在该上部空间中发生异常放电。因此，本发明就是鉴于上述这些问题而产生的，其目的在于提供一种等离子体处理装置，即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间，也能很容易地将其排出，并且能够防止在上部空间发生异常放电。为了解决上述课题，根据本发明的某个观点，提供一种等离子体处理装置，其对处理室内的基板实施规定的等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括设置于所述处理室的底壁，且载置所述基板的下部电极；与所述下部电极相对设置，且设置有向所载置的所述基板导入处理气体的多个吹出孔的上部电极；在所述电极间施加形成所述处理气体的等离子体的高频电力的电极供给部；设置于所述处理室的顶壁，使所述上部电极在所述顶壁和所述下部电极之间升降的升降机构；围绕各所述个电极和各所述电极之间的处理空间的周围的筒状壁；设置于所述筒状壁的内侧，排出所述处理空间的气体的内侧排气通道；以及设置于所述筒状壁的外侧，排出流入所述上部电极和所述顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道。根据本发明，即使向筒状壁内的处理空间所供给的处理气体从上部电极和筒状壁的间隙进入顶壁和上部电极之间的空间(上部电极的上部空间)，该处理气体也能够很容易地通过外侧排气通道从排气口排出。另外，能够将上部电极的上部空间的压力保持在低压，所以，即使在电极间施加高频电力，也能防止在该上部空间发生异常放电。在此情况下，所述筒状壁是例如设置于所述处理室的侧壁的内侧的保护侧壁，所述外侧排气通道是例如形成于所述处理室的侧壁和所述保护侧壁之间的排气空间。这样， 通过设置这种保护侧壁形成外侧排气通道这样简单的结构，就能有效地排出进入上部电极的上部空间的处理气体。在所述保护侧壁的上部设有突出的凸缘部以盖住所述外侧排气通道，在所述凸缘部上形成将所述外侧排气通道与所述上部电极和所述顶壁之间的空间连通的多个连通孔， 可以通过改变该连通孔的数量或者形状来调整所述外侧排气通道的流导。这样就能扩大外侧排气通道的电导与上部电极和筒状壁的间隙的流导之差。这样就能进一步提高进入顶壁和上部电极之间的空间的处理气体的排出效率。所述凸缘部可以在其上侧沿着所述保护侧壁的外周设置槽部，在所述槽部的底部设置所述连通孔，并且在所述槽部的侧部形成与所述上部电极和所述保护侧壁的间隙连通的连通孔。这样就能将从上部电极和保护侧壁的间隙迂回进入的处理气体通过连通孔从外侧排气通道向排出口引导。这样就能防止处理气体进入上部电极的上部空间。所述筒状壁可以作为所述处理室的侧壁，所述外侧排气通道可以包括将所述上部电极和所述顶壁之间的空间和与所述处理室的侧排气口连接的排气管连通的旁路配管。这样，也能在未设置保护壁的等离子体处理装置中应用本发明。根据本发明，即使处理气体流入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间， 通过外侧排气通道也能容易地将其排出，并且能够防止在上部空间发生异常放电。
图1是表示本发明的实施方式的等离子体处理装置的大致结构的剖面图。图2是表示图1所示的保护部件的结构例子的剖面立体图。图3是用来说明处理室内的排气气流的说明图，是表示本实施方式的等离子体处理装置的大致结构的剖面图。图4是用来说明处理室内的排气气流的说明图，是表示比较例的等离子体处理装置的大致结构的剖面图。图5是表示该实施方式中的保护部件的变形例的剖面立体图。图6是用来说明配备图5所示的保护中部件的等离子体处理装置的处理室内的排气气流的剖面图。
图7是表示该实施方式的等离子体处理装置的变形例的剖面图。图8是表示该实施方式的等离子体处理装置的其他变形例的剖面图。符号说明100、100，、100”等离子体处理装置102处理室102a 孔103 侧壁104 底壁105 顶壁106筒状保持部107处理空间108上部空间109残留的处理气体110载置台111下部电极112静电卡盘114静电卡盘电极115直流电源116制冷剂室118传热气体供给管线119聚焦环120上部电极122波纹管122a、122b 凸缘123喷出孔124电极板125电极支承体126气体导入口127气体供给管128 阀129流量控制器130处理气体供给部132 排气口134排气管136排气部138外侧排气通道140供电装置142第一高频供电机构144第一滤波器
146第一匹配器
148第一电源
152第二高频供电机构
154第二滤波器
156第二匹配器
158第二电源
160控制部
162操作部
164存储部
200上部电极升降机构
300-.300'保护部件
310、310，保护侧壁
312,326连通孔
320凸缘
322槽部
324底部
330内侧排气通道
340缓冲板
342贯通孔
350旁路配管
W晶片
具体实施例方式下面，参照附图，对本发明的最佳实施方式进行详细的说明。另外，在本说明书和附图中，对于实际上具有相同功能结构的构件标注相同的符号，省略重复的说明。图1表示作为本发明的实施方式的等离子体处理装置的一个例子的平行平板型的等离子体处理装置100的大致结构。等离子体处理装置100具有处理室(腔)102，该处理室102由例如其表面被阳极氧化处理(氧化铝膜处理)的铝构成，并成形为圆筒形状，该处理室102接地。处理室102构成为例如由筒状的侧壁103和底壁104以及顶壁105围成的处理容器。顶壁105以自由拆装的方式安装于侧壁103的上部。在处理室102内设有构成用于载置晶片W的载置台110的下部电极(基座)111 ； 和与该下部电极111相对附设且构成导入处理气体和清洗气体等的喷淋头的上部电极 120。下部电极111例如采用铝构成，隔着绝缘性的筒状保持部106设置于处理室102 的底壁104上。下部电极111根据晶片W的外径形成圆柱状。在下部电极111的上表面设有用于利用静电吸附力保持晶片W的静电卡盘112。 静电卡盘112例如通过将采用导电膜构成的静电卡盘电极114夹入绝缘膜内而构成。直流电源115与静电卡盘电极114电连接。根据该静电卡盘112，通过来自直流电源115的直流电压，能够利用库伦力将晶片W吸附保持在静电卡盘112上。
在下部电极111的内部设有冷却机构。该冷却机构构成为，通过配管向例如在下部电极111的内圆周方向上延伸的制冷剂室116循环供给来自未图示的冷却装置的规定温度的制冷剂(例如冷却水)。通过制冷剂的温度能够控制静电卡盘112上的晶片W的处理温度。在下部电极111和静电卡盘112上，朝着晶片W的背面设置传热气体供给管线 118。例如氦气等传热气体(back gas)被导入传热气体供给管线118，并供给静电卡盘112 的上表面和晶片W的背面之间。由此，促进下部电极111与晶片W之间的热传递。以包围载置于静电卡盘112上的晶片W的周围的方式配置聚焦环119。聚焦环119例如采用石英和硅构成，且设置于下部电极111的上表面。上部电极120通过上部电极升降机构200自由升降地被支承在处理室102的顶壁 105上。这样就能调节下部电极111与上部电极120的间隔。另外，在后面对上部电极升降机构200进行详细的阐述。上部电极120借助波纹管122被支承在处理室102的顶壁105上。波纹管122借助凸缘122a，利用螺栓等固定工具安装在形成于处理室102的顶壁105上的孔10 的边缘部的下表面，并且借助凸缘122b利用螺栓等固定工具安装在上部电极120的上表面。上部电极120包括构成与下部电极111的相对面且具有多个喷出孔123的电极板124 ；和支承该电极板124的电极支承体125。电极板124例如由石英构成，电极支承体 125例如采用表面被氧化铝膜处理的铝等导电性材料构成。在上部电极120中的电极支承体125上设有气体导入口 126。气体导入口 1 与气体供给管127连接。而且，该气体供给管127经由阀1 和流量控制器129与处理气体供给部130连接。从该气体处理供给部130例如供给用于等离子体蚀刻的蚀刻气体。另外，在图1 中，仅表示一个由气体供给管127、阀128、流量控制器129、以及处理气体供给部130等组成的处理气体供给系统，但是，等离子体处理装置100具有多个处理气体供给系统。例如， CHF3、Ar、He等处理气体被分别独立地控制流量，并被供给到处理室102内。下面，参照图1，对上部电极升降机构200的构成例进行说明。另外，上部电极升降机构200的结构并非局限于图1所示的结构。图1所示的上部电极升降机构200具有略呈圆筒状的滑动支承部件204，该滑动支承部件204按照相对于处理室102滑动自由的方式支承上部电极120。滑动支承部件204通过螺栓等安装在上部电极120的上部大致中央。滑动支承部件204以在形成于处理室102的上壁的大致中央的孔10 中自由出入的方式设置。具体而言，滑动支承部件204的外周面通过滑动机构210以自如滑动的方式被支承在处理室102的孔10 的边缘部。滑动机构210具有例如在处理室102的上部通过剖面呈L字状的固定部件214 而固定于固定部件214的铅直部上的引导部件216、和以自由滑动的方式支承在该引导部件216上，并在滑动支承部件204的外周面上沿着一个方向(在本实施方式中是上下方向) 形成的轨道部212。固定滑动机构210的引导部件216的固定部件214的水平部通过环状的水平调整板218固定于处理室102的上部。该水平调整板218用于调整上部电极120的水平位置。 水平调整板218构成为，例如可以通过沿着圆周方向等间隔地配置的多个螺栓等将水平调整板218固定于处理室102，并通过这些螺栓的突出量来改变水平调整板218相对于水平方向的倾斜量。通过调整该水平调整板218相对于水平方向的倾斜，调整上述滑动机构210 的引导部件216相对于铅直方向的倾斜，所以，能够调整通过引导部件216被支承的上部电极120的水平方向的倾斜。由此，通过简单的操作就能将上部电极120始终保持在水平位置。在处理室102的上侧，借助筒体201安装有用于驱动上部电极120的气压缸220。 即，筒体201的下端以盖住处理室102的孔10 的方式利用螺栓等被气密地安装，筒体201 的上端气密地安装在气压缸220的下端。上述气压缸220具有能够沿着一个方向驱动的活塞杆202，该活塞杆202的下端用螺栓等与滑动支承部件204的上部大致中央相连。由此，通过驱动气压缸220的活塞杆 202，上部电极120由滑动支承部件204沿着滑动机构向一个方向驱动。活塞杆202构成为圆筒状，活塞杆202的内部空间与形成于滑动支承部件204的大致中央的中央孔连通并向大气开放。由此，例如接地配线等各个配线(在图1中省略)能够从活塞杆202的内部空间通过滑动支承部件204的中央孔与上部电极120连接。在气压缸220的侧部，作为检测出上部电极120的位置的位置检出单元，例如设有线性编码器205。另一方面，在气压缸220的活塞杆202的上端设有具有从活塞杆202向侧方延伸的延伸部207a的上端部件207，线性编码器205的检出部205a抵接在该上端部件207的延伸部207a上。上端部件207与上部电极120的运动连动，因此，通过线性编码器205能够检测出上部电极120的位置。气压缸220通过上部支承板2M和下部支承板2 夹着筒状的气缸主体222而构成。在活塞杆202的外周面上设有环状的划分部件208，用于将气压缸220内划分成气缸第一空间232和气缸第二空间234。压缩空气从未图示的上部端口被导入气压缸220的气缸第一空间232中。另外，压缩空气从未图示的下部端口被导入气压缸220的气缸第二空间234中。通过控制分别导入气缸第一空间232和气缸第二空间234的空气量，能够向一个方向(此处是上下方向)驱动控制活塞杆202。导入该气压缸220的空气量由设置于气压缸220附近的气压回路240控制。另外，此处，对使用气压缸220作为使上部电极120升降的调节器的情况进行了说明， 但是，并非局限于此。上述的下部电极111与供给双频重叠电力的供电装置140连接。供电装置140包括供给第一频率的第一高频电力(等离子体激励用高频电力)的第一高频供电机构142 ； 和供给比第一频率低的第二频率的第二高频电力(偏压发生用高频电力)的第二高频供电机构152。第一高频供电机构142具有从下部电极111侧依次连接的第一滤波器144、第一匹配器146、第一电源148。第一滤波器144防止第二频率的电力成分侵入第一匹配器146 侧。第一匹配器146使第一高频电力成分匹配。第二高频供电机构152具有从下部电极111侧依次连接的第二滤波器154、第二匹配器156、第二电源158。第二滤波器154防止第一频率的电力成分侵入第二匹配器156 侧。第二匹配器156使第二高频电力成分匹配。等离子体处理装置100与控制部(整体控制装置)160连接，通过该控制部160控制等离子体处理装置100的各个部分。另外，控制部160与操作部162连接，该操作部162 包括操作员为了管理等离子体处理装置100进行指令输入操作等的键盘；和可视化显示等离子体处理装置100的运转情况的显示器。控制部160还与存储部164连接，在该存储部164中存储有用于通过控制部160 的控制实现在等离子体处理装置100中所实施的各种处理(蚀刻、灰化、成膜等)的程序； 和运行程序所需的处理条件(菜单)等。在存储部164中例如存储有多个处理条件(菜单)。各个处理条件归纳有控制等离子体处理装置100的各个部分的控制参数和设定参数等多个参数值。各个处理条件例如具有处理气体的流量比、处理室内压力、高频电力等参数值。这些程序和处理条件既可以存储在硬盘或半导体存储器中，也可以在收纳在计算机能够读取的CD-R0M、DVD等移动性存储介质中的状态下设置在存储部164的规定位置。控制部160根据来自操作部162的指示等，从存储部164中读出所需的程序、处理条件，并对各个部分进行控制，从而来实施在等离子体处理装置100中的期望的处理。根据来自操作部162的操作能够编辑处理条件。在处理室102的底壁104上设有排气口 132。排气口 132通过排气管134与排气部136连接。排气部136例如具有真空泵，能够将处理室102内减压至规定的真空度。另外，虽未图示，但在处理室102的侧壁103上安装有晶片W的搬入搬出口和对其进行开闭的闸阀。在这种等离子体处理装置100中，通过使上部电极120升降调整电极间距离。将来自处理气体供给部130的处理气体通过上部电极120向下部电极上的处理空间107导入， 在下部电极111上施加第一、第二高频电力，形成处理气体的等离子体，这样对载置台110 上的晶片W进行蚀刻或成膜的等离子体处理。但是，在具备这样可自如升降的上部电极120的等离子体处理装置100中，由于在上部电极120的上侧(电极支承体125的上侧)设置波纹管122，因此，即使该波纹管122 收缩也会保留一定的高度，所以，在该波纹管122的外侧形成被顶壁105和上部电极120夹持的上部空间(被顶壁105和电极支承体125所夹持的上部空间)108。因此，从形成于上部电极120的侧面的外侧的缝隙迂回进入的处理气体有可能残留在该上部空间108中。在此情况下，如果上部电极120的外侧的缝隙较窄，那么，即使驱动真空泵，也难以从排气口 132排出残留的处理气体。因此，在本实施方式中，设置围绕各个电极111、120和处理空间107的周围的筒状壁，在该筒状壁的外侧形成直接排出迂回进入上部电极120与顶壁105之间的上部空间108 的处理气体的外侧排气通道138。图1是采用保护部件300的保护侧壁310构成上述的围绕各个电极111、120和处理空间107的周围的筒状壁的具体例子。此情况下的外侧排气通道138形成于保护侧壁310与处理室102的侧壁103之间，且由与排气口 132连通的排气空间构成。这样，通过驱动排气部136的真空泵，迂回进入上部电极120的上部空间108的处理气体通过外侧排气通道138从排气口 132直接排出。采用设置保护侧壁310形成外侧排气通道138这样简单的结构，能够有效地排出迂回进入上部电极120的上部空间108的处
理气体。
保护部件300例如采用图2所示的结构。保护部件300由保护侧壁310、和设置于其上部的凸缘320构成。保护侧壁310和凸缘320既可以形成一体，也可以单独形成。保护部件300通过凸缘320支承在处理室102的侧壁103的上部。具体而言，凸缘320按照从保护侧壁310的外周面向外侧突出的方式形成。如图1所示，该凸缘320夹在侧壁103和顶壁105之间并且用螺栓等安装。为了保持与处理室102的侧壁103之间及与顶壁105之间的气密，在凸缘320上设有未图示的0形环等密封部件。如图2所示，在凸缘320上，沿着保护侧壁310的外周设有槽部322。在槽部322 的底部3M上设有将上部电极120的上部空间108与排气通道138连通的多个连通孔326。 通过改变该连通孔326的数量和形状，能够调整外侧排气通道138的流导。为了提高通过外侧排气通道138的排气效率，优选外侧排气通道138的流导至少比上部电极120和保护侧壁310的间隙的流导大。在图2中，列举了将连通孔3 的形状形成圆孔的例子，但是并非局限于此，例如， 也可以是狭缝、椭圆等。另外，在采用狭缝构成连通孔326的情况下，既可以是呈放射状延伸的狭缝，也可以是沿着圆周方向延伸的狭缝。这样，只要调整连通孔326的数量和形状， 就能扩大外侧排气通道138的流导和上部电极120和保护侧壁310的缝隙的流导之差。这样就能够进一步提高迂回进入上部电极120的上部空间108的处理气体的排出效率。在保护侧壁310的内侧，即在保护侧壁310和筒状保持部106之间形成与排气口 132连通的内侧排气通道330。在内侧排气通道330和排气口 132之间设有缓冲板340。具体而言，如图1所示，缓冲板340在保护侧壁310的下端，以围绕筒状保持部106的方式设置。在缓冲板340上形成有多个贯通孔342。这样，通过驱动排气部136的真空泵，保护侧壁310内的气体通过内侧排气通道330，借助缓冲板340的贯通孔342从排气口 132排出。保护侧壁310的内面被实施阳极氧化处理(例如，氧化铝膜处理)，使颗粒难以附着在上面。通过用这种保护侧壁310围绕处理空间107，能够保护处理室102的侧壁103不受颗粒等的影响。下面，参照附图，对这种等离子体处理装置100的排气气流进行说明。图3是表示设置有形成外侧排气通道138的保护部件300的本实施方式中的等离子体处理装置100的大致结构的剖面图，图4是表示设置有未形成外侧排气通道138的保护部件300’的比较例中的等离子体处理装置100’的大致结构的剖面图。在图3、图4中，简化了上部电极升降机构200的结构和下部电极111附近的结构等。在图3、图4的任意一种情况下，一边驱动图1所示的排气部136的真空泵，一边从上部电极120向处理空间107导入处理气体。如果在下部电极111上施加第一和第二高频，那么，就会在处理空间107中形成处理气体的等离子体，对晶片W进行等离子体处理。此时，保护侧壁310、310’的内侧气体的绝大部分通过内侧排气通道330并借助缓冲板340的贯通孔342从排气口 132排出。但是，保护侧壁310、310’的内侧的气体的一部分从形成于上部电极120的侧面的外侧的间隙进入上部电极120的上部空间108中。这样， 处理气体109迂回进入上部电极120的上部空间108。在此情况下，如图4所示，在不具有外侧排气通道138的情况下，如上所述，进入上部电极120的上部空间108的处理气体的排气极其困难，容易残留在其中，相反，如图3所示，在具有外侧排气通道138的情况下，进入上部电极120的上部空间108的处理气体通过外侧排气通道138，能够很容易从排气口 132直接排出。这样就能防止处理气体残留在上部电极120的上部空间108。另外，能够将上部电极120的上部空间108保持在低压，所以，能够防止上部空间108中的异常放电。通过调整保护侧壁310的连通孔326的数量和形状，使外侧排气通道138的流导比上部电极120的外侧的间隙(处理气体所进入的间隙)大，这样就能更容易地将进入上部电极120的上部空间108的处理气体从排出口 132排出。保护部件300的结构并非局限于图2所示。例如，如图5所示，可以在保护侧壁 310上设置将凸缘320的槽部322的空间与上部电极120和保护侧壁310的间隙连通的连通孔312。这样，如图6所示，进入上部电极120的外侧的间隙的处理气体也能借助连通孔 312、3沈导入外侧排气通道138。这样，能够防止保护侧壁310内的处理气体迂回进入上部电极120的上部空间108。该连通孔312的数量和形状并非局限于图5所示。在图5中，列举了将连通孔326 的形状形成圆孔的例子，但是，也可以是狭缝、椭圆等。另外，在采用狭缝构成连通孔312的情况下，既可以是呈放射状延伸的狭缝，也可以是沿着圆周方向延伸的狭缝。在上述实施方式中，以保护侧壁310采用围绕各个电极120、111和处理空间107 的筒状壁，在该保护侧壁310和处理室102的侧壁103之间设置外侧排气通道138的情况为例进行了说明，但是，并非局限于此。例如，如图7所示，也可以采用将上部电极120的上部空间108与处理室102的排气管134连通的旁路配管来构成外侧排气通道138。图7是在图4所示的等离子体处理装置100’中设置有构成外侧排气通道138的旁路配管350的具体例。这样，就能很容易地将进入上部电极120的上部空间108的处理气体通过作为外侧排气通道138的旁路配管350从排气口 132直接排出。这样也能防止处理气体残留在上部电极120的上部空间108中。如图8所示，构成外侧排气通道138的旁路配管350也能应用于未设置保护侧壁 310的等离子体处理装置100’。在此情况下，处理室102的侧壁103相当于围绕各个电极 120,111和处理空间107的周围的筒状壁。这样也能防止处理气体残留在上部电极120的上部空间108中。以上，参照附图，对本发明的最佳实施方式进行了说明，但是，本发明并非局限于此。不言而喻，对于本领域技术人员而言，在权利要求书所述的范畴内就能够想到各种变更例或者修正例，它们也应包含在本发明的技术范畴中。例如，在上述实施方式中，以在仅在下部电极上重叠地施加两种高频电力然后产生等离子体的等离子体处理装置中应用本发明的情况为例进行了说明，但是，并非局限于此，也可以应用于其他类型的等离子体处理装置中，例如仅在下部电极上施加一种高频电力、以及在上部电极和下部电极上分别施加两种高频电力。本发明能够应用于具备在处理室内自如升降的上部电极的等离子体处理装置。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其对处理室内的基板实施规定的等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括设置于所述处理室的底壁，且载置所述基板的下部电极；与所述下部电极相对设置，且设置有向被载置的所述基板导入处理气体的多个吹出孔的上部电极；在所述电极间施加用于形成所述处理气体的等离子体的高频电力的电极供给部； 设置于所述处理室的顶壁，使所述上部电极在所述顶壁与所述下部电极之间升降的升降机构；围绕各所述电极和各电极之间的处理空间的周围的筒状壁； 设置于所述筒状壁的内侧，对所述处理空间的气氛进行排气的内侧排气通道；和设置于所述筒状壁的外侧，对迂回流入所述上部电极与所述顶壁之间的空间的处理气体进行排气的外侧排气通道。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述筒状壁是设置于所述处理室的侧壁的内侧的保护侧壁，所述外侧排气通道是形成于所述处理室的侧壁与所述保护侧壁之间的排气空间。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述保护侧壁的上部设有外伸的凸缘部，以盖住所述外侧排气通道， 在所述凸缘部上形成有将所述外侧排气通道与所述上部电极和所述顶壁之间的空间连通的多个连通孔，通过改变该连通孔的数量或者形状来调整所述外侧排气通道的流导。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述凸缘部在其上侧沿着所述保护侧壁的外周设置有槽部，在所述槽部的底部设置有所述连通孔，并且在所述槽部的侧部形成有连通所述上部电极与所述保护侧壁的间隙的连通孔。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述筒状壁是所述处理室的侧壁，所述外侧排气通道是将所述上部电极和所述顶壁之间的空间与连接所述处理室的排气口的排气管连通的旁路配管。
全文摘要
本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。
文档编号H01J37/32GK102262999SQ20111014666
公开日2011年11月30日 申请日期2011年5月25日 优先权日2010年5月25日
发明者北泽贵, 堀口将人, 辻本宏 申请人:东京毅力科创株式会社