技术编号：29128019
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及包括多桥沟道配置的场效应晶体管和制造该场效应晶体管的方法。背景技术.作为执行电开关功能的半导体器件的晶体管已经用于包括存储器、驱动集成电路(ic)、逻辑器件等的各种集成电路器件。为了提高集成电路器件的集成度，用于其中包括的晶体管的空间已经迅速减小，因此，已经进行了用于在减小晶体管尺寸的同时保持晶体管性能的研究。.晶体管的重要部分之一是栅电极。当向栅电极施加电压时，与栅极相邻的沟道打开电流路径，并阻挡在相反方向上的电流。半导体的性能取决于在栅电极和沟道中减少并高效管理多少泄漏电流...
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