技术编号:29249966
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种非挥发性存储器的存储单元,且特别是涉及一种非挥发性存储器的存储单元中具有不对称间隙壁(spacer)的存储元件(memory device)。背景技术.请参照图,其所绘示为现有运用于非挥发性存储器的存储元件示意图。该存储元件披露于美国专利us ,,。存储元件为一p沟道晶体管(p-channel transistor)。.如图所示,存储元件制作于隔离结构之间,隔离结构为浅沟槽隔离结构(shallow trench isolation stru...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。