技术编号:29354008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种功率半导体器件的元胞结构及功率半导体器件。背景技术.随着柔直电网技术的发展,在电流型换流阀、直流断路器等核心装置中需要一种逆阻型全控型功率半导体器件,要求器件具有器件损耗低、关断能力高、反向恢复能力强等特性。其中,逆阻型的门极换流晶闸管(gate commutated thyristors,gct)是电力电子领域中一种电流全控型的大功率容量的半导体器件,开通特性像晶闸管,具有较低的通态损耗,关断特性如晶体管,因而具有通态损耗低、浪涌电流大,关断速度快、...
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