技术编号：2945536
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及蓝绿光探测材料，具体涉及一种基于半导体材料掺杂技术、 半导体外延技术和超高真空表面激活技术相结合的峰值响应在532 nm敏感的反射式 GaAlAs (镓铝砷)光电阴极及制备方法。背景技术海水是蓝绿激光的良好窗口，研究对532 nm敏感的新型海洋光电子探测器件对我国军事领域的海洋探测、海底通信、海底成像等方面有着重要意义。目前，国际上在海洋探测等领域应用的探测器件是以蓝延伸GaAlAs/GaAs光电阴极核心部件的微光像增强器。美国目前报道最好的蓝延...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。