技术编号:29813120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于碳化硅晶体生长的辅助技术领域,尤其涉及一种减少碳化硅籽晶背向升华的粘接结构与粘接方法。背景技术.物理气相传输法(physical vapor transport,pvt)是目前生长大尺寸碳化硅(sic)单晶衬底的主流方法,该方法的基本原理是sic原料在高温区分解,在温度梯度的驱动下,传输至籽晶低温区结晶析出。其中籽晶的固定方式大多采用粘接剂(有机胶)将籽晶粘接在籽晶托(坩埚盖的一部分)上。目前籽晶粘接技术的主要问题就是晶体生长过程中籽晶背面存在反向分解现象,而且籽晶边缘分解程度更...
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