技术编号：29922644
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种蚀刻液及蚀刻方法，特别涉及一种金属蚀刻液及金属蚀刻方法。背景技术.随着半导体与平板显示器的大尺寸化，为了降低装置的电阻并提升其电流传导速率，多使用铜金属作为半导体基板上的布线材料。然而，由于铜金属与半导体基板(例如：玻璃基板)的结合性不佳，一般会在铜金属层与基板之间设置一层钼金属结合层，以使铜金属与半导体基板能够良好结合。.一般而言，主要是以湿蚀刻处理具有铜、钼等金属的金属多层膜。湿蚀刻是通过蚀刻液中的氧化剂氧化并溶解未被屏蔽(mask)遮蔽的目标金属，而未被溶解的金属则形...
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