技术编号：29925952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺技术领域.本发明属于半导体衬底抛光片技术领域，具体涉及一种降低硅片抛光雾发生率的cmp工艺。背景技术.半导体抛光片作为各类电子产品的基础材料，随着市场竞争日趋严峻，ic向高集成、高性能的迅速发展，对器件衬底抛光质量要求愈来愈高，硅片抛光雾是高质量抛光的重要参数之一，尤其是对硅片精抛质量评价尤其重要。.化学机械抛光(chemical mechanical polishing，下简称cmp)是利用由微小磨粒和化学溶液混合而成的浆料与工件表面发生系列化学反应来...
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