技术编号：29927174
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于材料化学、纳米科学和光化学技术领域，具体涉及一种温度敏感的准硫化亚铜发光二维半导体及其制备方法与应用，该准硫化亚铜二维半导体在低温区的光谱变化可应用于温度传感领域。背景技术.超薄二维(d)半导体作为一类迅速崛起的新兴材料家族，显示出优异的电学、光学和机械性能，在光电、生物医学等多领域都具有潜在的应用价值。对于二维半导体，如石墨烯和层状过渡金属二硫化合物(tmd)，其电子结构强烈依赖于其厚度。特别是当其厚度接近单个晶胞尺寸时，二维半导体的性质会发生显著的变化，例如，对于层状tmd...
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