技术编号:29948100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种利于提高散热性的氮化镓外延生长方法。背景技术.氮化镓作为宽禁带半导体材料,其具禁带宽度大,载流子迁移率高等优点,因此氮化镓特别适用于制作高耐压、高功率密度、高可靠性的功率电子或微波器件,也可广泛运用于新能源汽车、半导体照明等领域。.目前氮化镓的商业化生长一般采用氢化物气相外延(hvpe),主要是因为hvpe法生长的速度快且单晶质量较好,而工艺步骤相对简单,经济效益好。现阶段氮化镓材料的hvpe生长有两大类途径:一种途径是同质外延,即在氮化镓单晶衬底上...
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