技术编号：30177922
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种高性能sgt mosfet器件技术领域.本实用新型涉及mosfet器件领域，特别涉及一种高性能sgt mosfet 器件。背景技术.采用sgt技术制造的mosfet属于前沿的功率器件技术，主要应用于中低压(《v)领域，具有极低的导通损耗和极低的开关损耗，并能在较小的封装中提供更高的电流密度，从而更节省空间更高效率，在快充，电动车，汽车电子，g，光伏，物联网和智能电子化等中高端应用中越来越广泛。.参照现有公开号为cna的中国专利，其公开了一种 sgt-mosfe...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。