技术编号:30185251
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。sacm结构insb-apd中红外探测器及制备方法技术领域.本发明属于开关电源系统电磁兼容技术领域,涉及一种sacm结构insb-apd中红外探测器,本发明还涉及上述红外探测器的制备方法。背景技术.随着对先进红外探测技术的需求不断增加,经过几十年的研究和高速发展,中波长红外(mwir,-μm)探测器的应用范围包括遥感、热追踪、气体监测和空间成像等重要领域。目前,mwir探测器中广泛使用的材料和结构主要包括碲镉汞(hgcdte,mct),量子阱与量子点,锑化铟(insb)焦平面阵列探测器,...
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