技术编号:30298788
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。背景技术.动态随机存取存储器(dram,dynamic random access memory)具有体积小、集成度高、功耗低的优点,同时dram芯片的存取速度比只读存储器(rom,read only memory)快。.在dram芯片中,最短读取芯片数据的时间是dram芯片的核心指标之一,该时间反映了dram芯片的响应速度,即dram芯片从控制器接收到读取命令之后和dram芯片向控制器输出读取数据之间的时间,其数值...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。