技术编号：30375814
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种宽光谱高反射率的光电器件。背景技术.宽光谱高反射率的光电器件在现代信息设施中有广泛用途。它结构简单、易于制造，使用方便。本器件结构简单、制造方便，易于大规模生产和使用，能完成现代信息社会对光电器件的要求。.硅(si)是现代硅基集成电路技术中必需的半导体材料。氮化硼(cubic boron nitride)是半导体材料，其硬度高，仅将于金刚石，同时具有良好的导热性。发明内容.本发明的目的在于提供一种宽光谱高反射率的光电器件，结构简单，制造方便，易于大规模推广使用。.为实现...
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