一种宽光谱高反射率的光电器件

1.本发明涉及一种宽光谱高反射率的光电器件。


背景技术：

2.宽光谱高反射率的光电器件在现代信息设施中有广泛用途。它结构简单、易于制造，使用方便。本器件结构简单、制造方便，易于大规模生产和使用，能完成现代信息社会对光电器件的要求。
3.硅(si)是现代硅基集成电路技术中必需的半导体材料。氮化硼(cubic boron nitride)是半导体材料，其硬度高，仅将于金刚石，同时具有良好的导热性。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种宽光谱高反射率的光电器件，结构简单，制造方便，易于大规模推广使用。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。
6.作为本发明的优选方案：基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成多层的结构；通过基本结构的堆叠，可以针对特定的光谱范围具有高反射率特性，更具有使用的灵活性。
7.与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过半导体材料氮化硼和硅的组合形成高反射率的光电器件或光学器件，成本低、易于制备，性能稳定、使用方便，其性能明显优于金属材料结构的高反射膜，具有新颖性、创造性和实用性。
附图说明
8.图1为基本结构图(由(1)～(2)构成)。
9.图2为本发明实施的案例1示意图。
10.图3为本发明实施的案例2示意图。
具体实施方式
11.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
12.本发明实施的案例1，请参阅图2，此图可以视为由三种基本结构图组合构成；它们由氮化硼(1)和硅层(2)堆叠而形成；各氮化硼(1)的厚度可以相同，也可以不相同；各硅层
(2)的厚度可以相同，也可以不相同；各层材料厚度的不同，其高反射率对光波波长具有特异性。
13.本发明实施的案例2，请参阅图3，此图可以视为由基本结构图实施的特例；它只有氮化硼(1)，其厚度可以发生变化。不同厚度的材料对不同的波长范围具有高反射率。
14.光线入射角度范围为0
°
～90
°
。
15.光线的波长范围包括紫外线、可见光、红外线。
16.本结构的应用场景之一是应用于激光器的光学谐振腔。
17.本发明的工作原理是：材料的光学色散特性不同，对光子的传输特性和光电性质的影响也不相同。氮化硼和硅在宽光谱范围内具有的光学复折射率，特别是反常色散，构成了光电器件或光学器件的独特性能，具有独特的应用。
18.本发明所涉及的结构中均要求各层材料的厚度在微米量级或纳米量级；通过各层材料厚度的变化，可以完成不同波长光线的选择性高反射率。
19.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
20.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。


技术特征：
1.一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。2.根据权利要求1所述的一种宽光谱高反射率的光电器件，其特征在于：基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成多层的结构；通过基本结构的堆叠，可以针对特定的光谱范围具有高反射率特性；光线从上表面照射入射，光的入射角度0
°
～90
°
；光线的波长范围包括紫外线、可见光、红外线。3.根据权利要求1所述的一种宽光谱高反射率的光电器件，其特征在于：各层具有不同的厚度，其高反射率对不同的波长具有特异性。

技术总结
本发明公开了一种宽光谱高反射率的光电器件，主要包括：由(1)～(2)构成的基本结构。(1)是氮化硼层，位于结构上部，是光线的入射面；(2)是硅层，位于结构下部；(1)、(2)材料的厚度均在微米量级或纳米量级。基本结构可以单独构成简单的器件，也可以堆叠组合构成多层的结构；通过基本结构的堆叠，可以针对特定的光谱范围具有高反射率特性，更具有使用的灵活性。本发明通过半导体材料氮化硼和硅的组合形成高反射率的光电器件或光学器件，成本低、易于制备，性能稳定、使用方便，其性能明显优于金属材料结构的高反射膜，具有新颖性、创造性和实用性。用性。用性。


技术研发人员：熊锡成 李敏 黄全振
受保护的技术使用者：河南工程学院
技术研发日：2022.03.11
技术公布日：2022/6/10