技术编号：30495832
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体器件制造技术领域，具体地，涉及一种沟槽型半导体器件及其制造方法。背景技术.二维电子气(two-dimensional electron gas，deg)和二维空穴气(two-dimensional hole gas，dhg)一般由异质结的极化效应形成，避免由于掺杂引入的大量电离施主或受主对载流子造成大的库伦散射，因而具有较高的载流子迁移率，使得异质结半导体器件能够提供较大的电流密度，输出较大的功率密度，并具有较好的高频特性。.在相关技术中，具有deg或dhg的器件...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。