技术编号:30952833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种半导体元件的结构及其制作方法,特别是涉及一种高压晶体管元件及其制作方法。背景技术.负偏压温度不稳定性(negative-bias temperature instability,nbti)是影响金属氧化物半导体场效晶体管(例如,高压晶体管元件)可靠性的一个重要因素。当高压晶体管元件在高温或是高电流密度下操作中,高温或高电流密度会造成栅极和栅介电层界面的si-h键结断裂键,导致界面的陷阱电荷(dangling bond)和氧化层固定正电荷(fixed charge in oxi...
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