技术编号:30961658
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。背景技术.涉及半导体装置的电子设备对许多现代应用来说是必不可少的。材料及设计的技术进步产生了半导体装置世代,其中每一代包含比上一代更小且更复杂的电路。此按比例缩小过程还增加处理及制造ic的复杂性,且为实现这些进步,需要类似地开发ic处理及制造。例如,已引入例如鳍式场效晶体管(finfet)的三维晶体管来替换平面晶体管。尽管现存finfet装置及制造finfet装置的方法一般已足以满足其预期目的,但其未在所有方面完全令人满意。例如,用金属栅极电极替换多...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。