技术编号:31036431
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种位线泄漏电流、灵敏放大器及存储器的控制电路。背景技术.随着cmos(complementary metal oxide semiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺技术按比例缩小,cmos电路在减小面积的同时也提高了性能。工艺的缩小也降低了电源电压,因此需要降低晶体管的阈值电压以保持晶体管的高性能。但是阈值电压的降低会导致亚阈值泄漏电流的增大,增大的泄漏电流会对静态随机存储器(static random-access memory,sram...
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