技术编号:31044448
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种降低裂纹的外延方法及其外延片。背景技术.gan作为第三代半导体材料,具有高禁带宽度、高临界击穿电场、高载流子饱和迁移速度以及高热导率和直接带隙等特点,在高温、高频、大功率微电子器件以及高性能光电子器件领域具有很大的应用前景。sic衬底由于和gan的晶格失配度小、热导率高,是目前gan异质外延最理想的衬底材料。但由于sic衬底比gan的热膨胀系数要小,热失配达.%,会导致gan外延层中存在较大的张应力,进而导致外延层产生裂纹,对半导体器件性能产生不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。