技术编号:31051527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。nldmos器件、nldmos器件的制备方法及芯片技术领域.本发明涉及半导体技术领域,具体地涉及一种nldmos器件、nldmos器件的制备方法及芯片。背景技术.ldmos(laterally diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)具有耐高压、大电流驱动能力和低功耗等特点,其被广泛应用在电源管理电路。bcd(bipolar-cmos-dmos)工艺中,ldmos与cmos(complementary metal oxide semic...
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