技术编号:31071857
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。wat测试结构和方法技术领域.本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种wat测试结构和方法。背景技术.pn结是半导体器件的基本结构,在针对pn结的wat(wafer acceptable test)测试中,一般从三个维度衡量半导体器件pn结的性能,分别是正向导通压降、反向漏电流和反向击穿电压。.目前,对于器件中的pn结来说,影响上述三个维度的一个重要的特性参数就是耗尽层宽度。尤其是在施加反向偏压的情况下,耗尽层宽度对于制定半导体电路设计中对于隔离相关的设计规则有重要的意义。在平台开...
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