技术编号：31071874
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。ldmos器件及其制备方法技术领域.本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种ldmos器件及其制备方法。背景技术.bcd平台的ldmos(laterally diffused metal oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件通常需要兼具低导通电阻与高击穿电压特性，但这两者在技术上是相矛盾的。为了使高击穿电压的器件在导通电阻上有较大的突破，一种解决思路是在ldmos器件的p型体区(pbody)形成沟槽(trench)结构，使得导通状态下的沟道变宽，从而使得...
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