技术编号:31416476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。ldmos器件及其制备方法技术领域.本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种ldmos器件及其制备方法。背景技术.soi(silicon on insulator)是指绝缘体上硅技术。soi工艺技术是一种全介质隔离技术,mos等器件制作在顶层硅膜上,顶层硅膜和衬底之间有一层氧化层作为隔离。该技术可彻底消除传统体硅工艺的闩锁效应,寄生电容小,具有高速、低功耗、高集成度及高可靠性等优点。.然而,如图所示,目前常规的功率ldmos器件采用平面型栅极分布,仅具有单一的导电沟道,从而使得电流密...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。